PMV90ENE của Nexperia là MOSFET rãnh kênh N 30 V, được thiết kế để sử dụng trong nhiều ứng dụng yêu cầu kiểm soát và chuyển đổi năng lượng hiệu quả. Nó được đóng gói trong gói nhựa Thiết bị gắn bề mặt (SMD) SOT23 (TO-236AB) nhỏ gọn, sử dụng công nghệ MOSFET rãnh tiên tiến để đạt hiệu suất cao trong một diện tích nhỏ.
MOSFET này được đặc trưng bởi khả năng tương thích mức logic, cho phép nó được điều khiển trực tiếp bởi các mạch logic mà không cần thêm các linh kiện điều khiển bổ sung. Nó cũng có khả năng chuyển mạch rất nhanh, nâng cao sự phù hợp cho các ứng dụng tốc độ cao và tần số cao. Thiết bị bao gồm bảo vệ Phóng tĩnh điện (ESD) vượt quá 2 kV HBM, bảo vệ nó khỏi bị hư hại do phóng tĩnh điện.
Transistor
MOSFET rãnh kênh N là một loại Transistor hiệu ứng trường (FET) sử dụng cấu trúc cổng rãnh để đạt được mật độ và hiệu suất cao hơn so với MOSFET phẳng truyền thống. Các linh kiện này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển đổi và quản lý năng lượng do khả năng kiểm soát dòng điện hiệu quả trong mạch.
Khi chọn MOSFET Trench kênh N, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp cực máng-nguồn (VDS), điện áp cực cổng-nguồn (VGS), dòng điện cực máng (ID) và điện trở trạng thái bật cực máng-nguồn (RDSon). Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức công suất và tần số chuyển mạch cần thiết trong một ứng dụng nhất định.
Ngoài ra, loại vỏ và đặc tính nhiệt là những cân nhắc quan trọng. Vỏ SOT23 phổ biến vì kích thước nhỏ gọn, phù hợp cho các ứng dụng hạn chế về không gian. Quản lý nhiệt rất quan trọng trong việc ngăn ngừa quá nhiệt và đảm bảo hoạt động đáng tin cậy trong các điều kiện khác nhau.
Cuối cùng, các tính năng như khả năng tương thích mức logic và bảo vệ ESD rất có lợi trong việc đơn giản hóa thiết kế mạch và tăng cường độ bền của linh kiện.