PMV230ENEAR: 60V, MOSFET kênh N Trench, gói SOT23, mức logic, Chuyển mạch nhanh

Nexperia

PMV230ENEAR là một Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) chế độ tăng cường N-channel được đóng gói trong một gói nhựa SMD (Thiết Bị Gắn Bề Mặt) SOT23 (TO-236AB) nhỏ gọn. Sử dụng công nghệ MOSFET Rãnh, thành phần này cung cấp hiệu suất cải thiện trong nhiều mạch điện tử. Thiết kế của nó được tối ưu hóa cho chuyển mạch nhanh và tương thích mức logic, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng tốc độ cao.

MOSFET này được trang bị bảo vệ chống tĩnh điện (ESD) vượt quá 2 kV HBM, đảm bảo độ bền chống lại các xung tĩnh điện đột ngột. Ngoài ra, nó được chứng nhận AEC-Q101, chỉ ra độ tin cậy trong các ứng dụng cấp ô tô. Kích thước nhỏ gọn của PMV230ENEAR kết hợp với các đặc tính hiệu suất mạnh mẽ làm cho nó trở thành lựa chọn xuất sắc cho các ứng dụng có không gian hạn chế cần chuyển mạch hiệu quả.

• Điện áp Drain-Source (VDS): 60V
• Điện áp Gate-Source (VGS): ±20V
• Dòng điện Drain (ID): 1.5A tại VGS = 10V, Tamb = 25°C
• Điện trở Drain-Source khi mở (RDSon): 176 - 222mΩ tại VGS = 10V, ID = 1.5A
• Tổng công suất tiêu thụ (Ptot): 480mW tại Tamb = 25°C
• Nhiệt độ nút giao (Tj): -55 đến 150°C
• Đặc điểm tĩnh và động: Bao gồm điện áp ngưỡng cổng, dòng rò, transconductance, và các thông số về điện tích.

• Trình điều khiển rơ le
• Trình điều khiển dòng cao tốc
• Công tắc tải phía dưới
• Mạch chuyển mạch

MOSFET N-channel là các thành phần cơ bản trong kỹ thuật điện tử, đóng vai trò như các công tắc hoặc bộ khuếch đại hiệu quả trong mạch. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để kiểm soát độ dẫn của một kênh, cho phép hoặc ngăn chặn dòng điện. Các loại N-channel, như PMV230ENEAR, có độ di động electron cao hơn so với các loại P-channel, làm cho chúng hiệu quả hơn cho nhiều ứng dụng.

Khi chọn một MOSFET kênh N, kỹ sư xem xét các thông số như điện áp nguồn-drain, điện áp cổng-nguồn, dòng điện drain, và sự tiêu hao công suất. Các thông số của PMV230ENEAR, bao gồm điện áp nguồn-drain 60V và khả năng dòng điện drain 1.5A, làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng. Gói SOT23 nhỏ gọn của nó có lợi cho các thiết kế có không gian hạn chế.

Công nghệ MOSFET Rãnh, như được sử dụng trong PMV230ENEAR, cung cấp giảm trở kháng trạng thái bật và cải thiện hiệu suất chuyển mạch, quan trọng cho các ứng dụng hiệu suất cao. Ngoài ra, các tính năng như bảo vệ ESD và chứng nhận chất lượng ô tô (AEC-Q101) là quan trọng cho các ứng dụng yêu cầu độ tin cậy cao và độ bền.

Tổng quan, việc lựa chọn một MOSFET kênh N liên quan đến sự cân bằng giữa các thông số kỹ thuật điện, bao bì, và các tính năng bổ sung như bảo vệ ESD. Sự kết hợp giữa hiệu suất cao, bao bì nhỏ gọn, và các tính năng đáng tin cậy làm cho PMV230ENEAR trở thành một lựa chọn xuất sắc cho các kỹ sư thiết kế hệ thống điện tử.