PMV230ENEAR: MOSFET rãnh kênh N 60V, gói SOT23, mức Logic, Chuyển mạch nhanh

Nexperia

PMV230ENEAR là một Transistor Hiệu ứng Trường (FET) chế độ tăng cường kênh N được đóng gói trong gói nhựa Thiết bị Gắn Bề mặt (SMD) SOT23 (TO-236AB) nhỏ gọn. Sử dụng công nghệ Trench MOSFET, linh kiện này cung cấp hiệu suất được cải thiện trong nhiều mạch điện tử khác nhau. Thiết kế của nó được tối ưu hóa cho chuyển mạch nhanh và tương thích mức logic, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng tốc độ cao.

MOSFET này được trang bị bảo vệ chống phóng tĩnh điện (ESD) vượt quá 2 kV HBM, đảm bảo độ bền chống lại sự phóng tĩnh điện đột ngột. Ngoài ra, nó đạt chuẩn AEC-Q101, cho thấy độ tin cậy của nó trong các ứng dụng cấp ô tô. Kích thước nhỏ gọn của PMV230ENEAR kết hợp với các đặc tính hiệu suất mạnh mẽ khiến nó trở thành lựa chọn tuyệt vời cho các ứng dụng hạn chế về không gian đòi hỏi chuyển mạch hiệu quả.

• Điện áp Cực máng-Cực nguồn (VDS): 60V
• Điện áp Cực cổng-Cực nguồn (VGS): ±20V
• Dòng điện Cực máng (ID): 1.5A tại VGS = 10V, Tamb = 25°C
• Điện trở Trạng thái Bật Cực máng-Cực nguồn (RDSon): 176 - 222mΩ tại VGS = 10V, ID = 1.5A
• Tổng Công suất Tiêu tán (Ptot): 480mW tại Tamb = 25°C
• Nhiệt độ Tiếp giáp (Tj): -55 đến 150°C
• Đặc tính Tĩnh và Động: Bao gồm điện áp ngưỡng cực cổng, dòng rò, độ dẫn truyền và các thông số điện tích.

• Trình điều khiển rơ le
• Trình điều khiển đường dây tốc độ cao
• Công tắc tải phía thấp (low-side)
• Mạch chuyển mạch

MOSFET kênh N là các linh kiện cơ bản trong kỹ thuật điện tử, đóng vai trò là công tắc hoặc bộ khuếch đại hiệu quả trong mạch. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát độ dẫn điện của một kênh, cho phép hoặc ngăn dòng điện chạy qua. Các loại kênh N, chẳng hạn như PMV230ENEAR, có độ linh động điện tử cao hơn so với các loại kênh P, khiến chúng hiệu quả hơn cho nhiều ứng dụng.

Khi chọn MOSFET kênh N, các kỹ sư xem xét các thông số như điện áp cực máng-cực nguồn (drain-source), điện áp cực cổng-cực nguồn (gate-source), dòng điện cực máng và công suất tiêu tán. Các thông số kỹ thuật của PMV230ENEAR, bao gồm điện áp cực máng-cực nguồn 60V và khả năng dòng điện cực máng 1.5A, làm cho nó phù hợp với nhiều ứng dụng khác nhau. Gói SOT23 nhỏ gọn của nó là một lợi thế cho các thiết kế bị hạn chế về không gian.

Công nghệ Trench MOSFET, như được sử dụng trong PMV230ENEAR, cung cấp điện trở trạng thái bật giảm và hiệu suất chuyển mạch được cải thiện, rất quan trọng đối với các ứng dụng hiệu suất cao. Ngoài ra, các tính năng như bảo vệ ESD và tiêu chuẩn cấp ô tô (AEC-Q101) rất quan trọng đối với các ứng dụng yêu cầu độ tin cậy và độ bền cao.

Nhìn chung, việc lựa chọn MOSFET kênh N liên quan đến sự cân bằng giữa các thông số kỹ thuật điện, cách đóng gói và các tính năng bổ sung như bảo vệ ESD. Sự kết hợp giữa hiệu suất cao, đóng gói nhỏ gọn và các tính năng tin cậy của PMV230ENEAR khiến nó trở thành lựa chọn tuyệt vời cho các kỹ sư thiết kế hệ thống điện tử.