BSS138BKVL của NXP Semiconductors là một Transistor hiệu ứng trường (FET) chế độ tăng cường kênh N sử dụng công nghệ MOSFET rãnh. Nó được đóng gói trong một gói nhựa SMD (Thiết bị Gắn Bề Mặt) SOT23 (TO-236AB) nhỏ gọn, cung cấp một dấu chân nhỏ gọn cho các thiết kế nơi không gian bị hạn chế. Linh kiện này được thiết kế để tương thích với mức logic, cho phép tích hợp dễ dàng vào các mạch số.
Các tính năng chính của BSS138BKVL bao gồm khả năng chuyển mạch nhanh và bảo vệ chống tĩnh điện (ESD) lên đến 1,5 kV, bảo vệ thiết bị trong quá trình xử lý và vận hành. Công nghệ Trench MOSFET được áp dụng trong linh kiện này mang lại hiệu suất cải thiện so với MOSFET truyền thống, như điện trở trạng thái mở thấp hơn và điện tích cổng giảm, góp phần vào hiệu quả cao hơn trong các ứng dụng.
MOSFET
MOSFET N-channel là một loại Transistor Hiệu Ứng Trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử cho mục đích chuyển mạch và khuếch đại. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng một trường điện để điều khiển dòng điện chảy giữa các cực thoát và nguồn. N-channel đề cập đến loại hạt mang điện tích (electron) chảy qua thiết bị.
Khi chọn một MOSFET N-channel cho một ứng dụng cụ thể, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp drain-source, điện áp gate-source, dòng drain, điện trở khi mở và tiêu thụ công suất. Những thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức điện áp và dòng điện yêu cầu, cũng như hiệu quả và hiệu suất nhiệt của nó.
MOSFET kênh N thường được sử dụng trong các ứng dụng cần quản lý công suất hiệu quả, như nguồn cung cấp điện, bộ điều khiển động cơ, và mạch chuyển mạch. Khả năng chuyển đổi nhanh chóng giữa trạng thái bật và tắt với mất mát công suất tối thiểu làm cho chúng lý tưởng cho các ứng dụng tốc độ cao và hiệu quả cao. Ngoài ra, việc tích hợp các tính năng như bảo vệ ESD và tương thích mức logic có thể đơn giản hóa thiết kế mạch và tăng cường độ tin cậy.