BSS138BKVL của NXP Semiconductors là Transistor hiệu ứng trường (FET) chế độ tăng cường kênh N sử dụng công nghệ Trench MOSFET. Nó được đóng gói trong vỏ nhựa Thiết bị gắn bề mặt (SMD) SOT23 (TO-236AB) nhỏ, cung cấp footprint nhỏ gọn cho các thiết kế có không gian hạn chế. Linh kiện này được thiết kế để tương thích mức logic, cho phép tích hợp dễ dàng vào các mạch kỹ thuật số.
Các tính năng chính của BSS138BKVL bao gồm khả năng chuyển mạch rất nhanh và tích hợp bảo vệ chống phóng tĩnh điện (ESD) lên đến 1,5 kV, bảo vệ thiết bị trong quá trình xử lý và vận hành. Công nghệ Trench MOSFET được sử dụng trong linh kiện này mang lại các đặc tính hiệu suất được cải thiện so với MOSFET truyền thống, chẳng hạn như điện trở trạng thái bật thấp hơn và điện tích cổng giảm, góp phần mang lại hiệu quả cao hơn trong các ứng dụng.
MOSFET
MOSFET kênh N là một loại Transistor hiệu ứng trường (FET) được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử cho mục đích chuyển mạch và khuếch đại. Chúng hoạt động bằng cách sử dụng điện trường để kiểm soát dòng điện giữa các cực drain và source. Kênh N đề cập đến loại hạt mang điện (electron) chạy qua thiết bị.
Khi chọn MOSFET kênh N cho một ứng dụng cụ thể, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện áp cực máng-cực nguồn, điện áp cực cổng-cực nguồn, dòng điện cực máng, điện trở trạng thái bật và khả năng tiêu tán công suất. Các thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức điện áp và dòng điện cần thiết, cũng như hiệu suất và hiệu suất nhiệt của nó.
MOSFET kênh N thường được sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu quản lý năng lượng hiệu quả, chẳng hạn như bộ nguồn, bộ điều khiển động cơ và mạch chuyển mạch. Khả năng chuyển đổi nhanh chóng giữa trạng thái bật và tắt với mức tổn thất điện năng tối thiểu khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng tốc độ cao và hiệu suất cao. Ngoài ra, việc tích hợp các tính năng như bảo vệ ESD và khả năng tương thích mức logic có thể đơn giản hóa thiết kế mạch và nâng cao độ tin cậy.