2N7002LT3G: MOSFET kênh N, SOT-23, 60V, 115mA, Không chì
onsemi

2N7002LT3G là một MOSFET N-Channel từ onsemi, được thiết kế cho các ứng dụng tín hiệu nhỏ và được đóng gói trong một gói SOT-23 nhỏ gọn. Thành phần này cung cấp một điện áp drain-source (VDSS) 60V và một dòng drain tối đa (ID) 115mA, làm cho nó phù hợp cho một loạt các ứng dụng công suất thấp. Nó được đặc trưng bởi điện trở khi mở thấp và khả năng chuyển mạch tốc độ cao. Thiết bị được chứng nhận AEC-Q101, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng ô tô, và cũng là Pb-Free, Halogen Free/BFR Free và tuân thủ RoHS, phản ánh cam kết của onsemi với sự bền vững môi trường.

MOSFET có RDS(on) tối đa là 7.5Ω tại 10V, chỉ ra hiệu quả của nó trong việc dẫn dòng điện với mất mát công suất tối thiểu. Nó cũng hỗ trợ dòng điện xung (IDM) lên đến 800mA, cho phép hoạt động dòng điện cao tạm thời. Đặc tính nhiệt của thiết bị đảm bảo hoạt động đáng tin cậy, với nhiệt độ nút tối đa là 150°C. Đặc tính động của nó bao gồm dung lượng đầu vào (Ciss) là 50pF, làm cho nó phản ứng nhanh trong các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Drain-Source (VDSS): 60V
  • Dòng điện Drain (ID): 115mA
  • Dòng điện Drain Xung (IDM): 800mA
  • Điện áp Gate-Source (VGS): ±20V
  • Điện trở Drain-Source Tĩnh (RDS(on)): 7.5Ω tại 10V
  • Điện trở Nhiệt, Nút giao đến Môi trường (RθJA): 556°C/W
  • Dung lượng Đầu vào (Ciss): 50pF
  • Phạm vi Nhiệt độ Hoạt động: -55°C đến +150°C

2N7002LT3G Bảng dữ liệu

2N7002LT3G bảng dữ liệu (PDF)

2N7002LT3G Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho 2N7002LT3G, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Ứng dụng chuyển mạch công suất thấp
  • Thiết bị di động
  • Ứng dụng ô tô
  • Mạch quản lý công suất

Danh mục

MOSFET

Thông tin chung

MOSFETs (Transistor Hiệu ứng Trường Ô-xít Kim loại) là một loại transistor được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển mạch các tín hiệu điện tử. Chúng được đặc trưng bởi các cực cổng, drain, và nguồn. MOSFET N-channel, như 2N7002LT3G, dẫn dòng khi một điện áp dương được áp dụng lên cổng so với nguồn, làm cho chúng phù hợp cho một loạt các ứng dụng chuyển mạch.

Khi chọn một MOSFET cho một ứng dụng cụ thể, các kỹ sư xem xét các thông số như điện áp drain-source (VDSS), dòng điện drain (ID), điện áp gate-source (VGS), và điện trở drain-source trạng thái mở tĩnh (RDS(on)). Những thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý điện áp và dòng điện, hiệu quả của nó, và sự phù hợp của nó cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Các đặc tính nhiệt cũng quan trọng, vì chúng ảnh hưởng đến độ tin cậy và tuổi thọ của thiết bị dưới các điều kiện hoạt động khác nhau.

MOSFET được sử dụng rộng rãi trong các mạch quản lý năng lượng, hệ thống điều khiển động cơ, và trong việc chuyển mạch tải trong các thiết bị điện tử khác nhau. Khả năng chuyển mạch nhanh chóng và hiệu quả cao của chúng làm cho chúng có giá trị trong việc giảm tiêu thụ năng lượng và sản sinh nhiệt trong các hệ thống điện tử. Ngoài ra, sự lựa chọn giữa MOSFET N-Channel và P-Channel phụ thuộc vào các yêu cầu cụ thể của mạch, bao gồm hướng dòng điện và loại tải được điều khiển.

Tổng quan, việc lựa chọn một MOSFET đòi hỏi phải phân tích kỹ lưỡng các đặc tính điện, hiệu suất nhiệt và các yêu cầu cụ thể của ứng dụng. Độ tin cậy, hiệu quả và tuân thủ các tiêu chuẩn môi trường cũng là những yếu tố quan trọng trong quá trình lựa chọn.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 2/10
  • Sở thích: 1/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components