2N7002ET7G: MOSFET kênh N, 60V, 310mA, SOT-23, RDS(on) thấp
onsemi

2N7002ET7G là một MOSFET N-Channel của onsemi, được thiết kế cho quản lý năng lượng và ứng dụng chuyển mạch hiệu quả. Nó có điện áp cực dẫn đến cực nguồn (VDS) 60V và dòng điện cực dẫn tối đa liên tục (ID) 310mA, làm cho nó phù hợp cho nhiều ứng dụng công suất thấp. Linh kiện này sử dụng công nghệ rãnh để đạt được các giá trị điện trở cực dẫn đến cực nguồn thấp (RDS(on)) là 2.5Ω tại 10V và 3.0Ω tại 4.5V, đảm bảo hoạt động hiệu quả và giảm tiêu hao năng lượng.

Gói SOT-23 nhỏ gọn của nó được tối ưu hóa cho công nghệ gắn mặt, cho phép bố trí PCB mật độ cao. 2N7002ET7G được chứng nhận AEC-Q101 và có khả năng PPAP, chỉ ra độ tin cậy và phù hợp của nó cho các ứng dụng ô tô. Ngoài ra, nó không chứa chì, không halogen/BFR và tuân thủ RoHS, làm cho nó là một lựa chọn thân thiện với môi trường cho các thiết kế điện tử.

Thông số và Tính năng Chính

  • Điện áp Drain-to-Source (VDS): 60V
  • Dòng điện Drain Liên tục (ID): 310mA
  • Điện trở On (RDS(on)): 2.5Ω tại 10V, 3.0Ω tại 4.5V
  • Điện áp Gate-to-Source (VGS): ±20V
  • Công suất Phát tán: 300mW trạng thái ổn định, 420mW trong <5s
  • Phạm vi Nhiệt độ Hoạt động của Nút giao: -55°C đến +150°C
  • Gói: SOT-23

2N7002ET7G Bảng dữ liệu

2N7002ET7G bảng dữ liệu (PDF)

2N7002ET7G Thay Thế
Các linh kiện thay thế tương đương có thể phục vụ như một sự thay thế cho 2N7002ET7G, các linh kiện phổ biến nhất đầu tiên

Ứng dụng

  • Công tắc tải phía dưới
  • Mạch chuyển mức
  • Bộ chuyển đổi DC-DC
  • Ứng dụng di động (ví dụ, máy ảnh kỹ thuật số, PDA, điện thoại di động)

Danh mục

MOSFET

Thông tin chung

MOSFETs (Transistor Hiệu Ứng Trường Bán Dẫn Kim Loại-Oxit) là một loại transistor được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển mạch các tín hiệu điện tử. Chúng là một thành phần thiết yếu trong một loạt các thiết bị điện tử do hiệu quả cao và khả năng chuyển mạch nhanh của chúng. MOSFET N-channel, như 2N7002ET7G, thường được sử dụng trong các ứng dụng cần điều khiển dòng tải bằng điện áp áp dụng lên cực cổng.

Khi chọn một MOSFET cho một ứng dụng cụ thể, một số thông số quan trọng cần xem xét bao gồm điện áp drain-to-source (VDS), điện áp gate-to-source (VGS), dòng drain liên tục (ID), và điện trở on (RDS(on)). Những thông số này xác định khả năng của MOSFET trong việc xử lý các mức công suất yêu cầu và hiệu quả của nó trong mạch.

Loại gói cũng đóng một vai trò quan trọng trong hiệu suất của linh kiện, đặc biệt là về quản lý nhiệt và dấu chân trên PCB. Đối với các ứng dụng cần độ tin cậy cao, như ô tô hoặc công nghiệp, cũng quan trọng khi xem xét sự tuân thủ của linh kiện với các tiêu chuẩn và chứng nhận ngành.

Nói chung, việc lựa chọn MOSFET sẽ ảnh hưởng đáng kể đến hiệu suất, hiệu quả và độ tin cậy của thiết bị điện tử mà nó được sử dụng. Do đó, việc hiểu rõ thông số kỹ thuật của linh kiện và cách chúng phù hợp với yêu cầu của ứng dụng là rất quan trọng để thiết kế tối ưu.

Chỉ số Phổ Biến của PartsBox

  • Doanh nghiệp: 0/10
  • Sở thích: 0/10

Cơ sở dữ liệu linh kiện điện tử

Popular electronic components