SQ2364EES-T1_GE3: 汽車N通道60V，175°C，SOT-23 MOSFET

Vishay

Vishay的SQ2364EES-T1_GE3是一款為汽車應用設計的N通道MOSFET，封裝在一個緊湊的SOT-23包裝中。該元件以其能夠在高達175°C的高溫下運行的能力為特點，適用於要求苛刻的環境。它是AEC-Q101合格的，確保了汽車級的可靠性和性能。MOSFET採用TrenchFET®技術，提供了增強的效率和降低的導通電阻。

關鍵屬性包括在 25 °C 時的漏源電壓（VDS）為 60 V 和連續漏電流（ID）為 2 A，並且能夠處理高達 8 A 的脈衝漏電流。它還提供高達 800 V 的強大 ESD 保護。該裝置在各種閘源電壓下的低導通電阻（RDS(on)）突顯了其在導通電流時的效率。此外，它是 100% Rg 和 UIS 測試，確保所有單元的一致性表現。

• 漏源電壓 (VDS)： 60 V
• 閘源電壓 (VGS)： ± 8 V
• 連續漏電流 (ID) @ 25 °C： 2 A
• 脈衝漏電流 (IDM)： 8 A
• RDS(on) @ VGS = 1.5 V： 0.245 Ω
• 最大功率耗散 @ 25 °C： 3 W
• 工作結點溫度範圍： -55 至 +175 °C
• 封裝： SOT-23

• 汽車電子
• 電源管理系統
• 高溫應用

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種用於放大或切換電子信號的晶體管。由於其高效率、可靠性和處理顯著功率水平的能力，它們廣泛用於電子設備中。特別是N通道MOSFET，由於其高電子遷移率和易於整合到各種電路中，因此受到偏好。

在選擇特定應用的MOSFET時，應考慮幾個因素，包括漏源電壓（VDS）、閘源電壓（VGS）、連續漏電流（ID）和開啟電阻（RDS(on)）。這些參數決定了MOSFET處理所需功率水平的能力及其在電路中的效率。封裝類型在設備的熱管理中也起著關鍵作用。

MOSFET在功率轉換和管理系統中不可或缺，為高效功率分配提供解決方案。它們在需要高速開關、低功耗和緊湊尺寸的應用中特別有價值。汽車應用經常要求MOSFET能夠在惡劣條件下可靠運行，包括高溫和高壓。

Vishay 的 SQ2364EES-T1_GE3 MOSFET 憑藉其高溫耐受性和汽車資格認證，體現了 MOSFET 技術的進步，滿足汽車電子和電源管理系統的嚴格要求。