PMV90ENER: 30 V，N-通道溝槽 MOSFET，SOT23 封裝，邏輯級兼容，快速開關

Nexperia

Nexperia的PMV90ENE是一款30V，N通道溝槽MOSFET，設計用於需要高效功率控制和轉換的各種應用。它封裝在一個緊湊的SOT23（TO-236AB）表面貼裝裝置（SMD）塑料封裝中，利用先進的溝槽MOSFET技術在小尺寸中實現高性能。

這款MOSFET的特點是其邏輯級兼容性，允許直接由邏輯電路驅動，無需額外的驅動元件。它還具有非常快的切換能力，增强了其適用於高速和高頻應用的適用性。該裝置包括超過2 kV HBM的靜電放電（ESD）保護，保護它免受靜電放電的損害。

• 源極-汲極電壓 (VDS): 最大 30 V
• 閘極-源極電壓 (VGS): ±20 V
• 汲極電流 (ID): 在 VGS = 10 V, Tamb = 25 °C 時最大 3.7 A
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon): 在 VGS = 10 V, ID = 3 A 時 54 - 72 mΩ
• 總功率耗散 (Ptot): 在 Tamb = 25 °C 時最大 460 mW
• 接合溫度 (Tj): -55 至 150 °C

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 切換電路

N通道溝槽MOSFET是一種利用溝槽閘結構的場效應晶體管(FET)，與傳統平面MOSFET相比，實現了更高的密度和效率。這些元件廣泛用於電源轉換和管理應用中，由於它們能夠有效地控制電路中的電力流動。

在選擇 N-通道 Trench MOSFET 時，工程師應考慮參數，如漏源電壓（VDS）、閘源電壓（VGS）、漏電流（ID）和漏源導通電阻（RDSon）。這些參數決定了 MOSFET 在給定應用中處理所需功率水平和開關頻率的能力。

此外，封裝類型和熱特性是重要考慮因素。SOT23 封裝因其緊湊尺寸而受歡迎，適用於空間受限的應用。熱管理在防止過熱和確保在各種條件下的可靠運行中至關重要。

最後，邏輯級兼容性和ESD保護等功能有助於簡化電路設計並增強元件的耐用性。