PMV90ENER: 30 V，N 通道溝槽 MOSFET，SOT23 封裝，邏輯電平兼容，快速開關

Nexperia

Nexperia 的 PMV90ENE 是一款 30 V、N 通道溝槽 MOSFET，專為各種需要高效電源控制和轉換的應用而設計。它封裝在緊湊的 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝元件 (SMD) 塑膠封裝中，利用先進的溝槽 MOSFET 技術在小尺寸中實現高效能。

此 MOSFET 的特點是其邏輯電位兼容性，允許它直接由邏輯電路驅動，無需額外的驅動元件。它還具有非常快的開關能力，增強了其在高達和高頻應用中的適用性。該裝置包括超過 2 kV HBM 的靜電放電 (ESD) 保護，保護其免受靜電放電的損壞。

• 汲極-源極電壓 (VDS): 最大 30 V
• 閘極-源極電壓 (VGS): ±20 V
• 汲極電流 (ID): 最大 3.7 A (VGS = 10 V, Tamb = 25 °C)
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon): 54 - 72 mΩ (VGS = 10 V, ID = 3 A)
• 總功耗 (Ptot): 最大 460 mW (Tamb = 25 °C)
• 接面溫度 (Tj): -55 至 150 °C

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

N 通道溝槽 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，利用溝槽閘極結構實現比傳統平面 MOSFET 更高的密度和效率。由於能夠有效地控制電路中的功率流動，這些元件廣泛用於電源轉換和管理應用。

在選擇 N 通道溝槽 MOSFET 時，工程師應考慮汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS)、汲極電流 (ID) 和汲極-源極導通電阻 (RDSon) 等參數。這些參數決定了 MOSFET 在給定應用中處理所需功率水平和開關頻率的能力。

此外，封裝類型和熱特性也是重要的考量因素。SOT23 封裝因其尺寸緊湊而廣受歡迎，使其適用於空間受限的應用。熱管理對於防止過熱並確保在各種條件下的可靠運作至關重要。

最後，邏輯電平相容性和 ESD 保護等功能有助於簡化電路設計並增強元件的耐用性。