PMV230ENEAR: 60V，N 通道 Trench MOSFET，SOT23 封裝，邏輯電平，快速切換

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PMV230ENEAR 是一款封裝在緊湊型 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中的 N 通道增強型場效電晶體 (FET)。利用 Trench MOSFET 技術，此元件在各種電子電路中提供改進的性能。其設計針對快速開關和邏輯電位兼容性進行了最佳化，使其適用於高速應用。

此 MOSFET 配備超過 2 kV HBM 的靜電放電 (ESD) 保護，確保能抵抗突然的靜電放電。此外，它符合 AEC-Q101 標準，表明其在汽車級應用中的可靠性。PMV230ENEAR 的小巧外形結合其強大的性能特徵，使其成為需要高效開關的空間受限應用的絕佳選擇。

• 汲極-源極電壓 (VDS)： 60V
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20V
• 汲極電流 (ID)： 1.5A (VGS = 10V, Tamb = 25°C)
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon)： 176 - 222mΩ (VGS = 10V, ID = 1.5A)
• 總功率耗散 (Ptot)： 480mW (Tamb = 25°C)
• 接面溫度 (Tj)： -55 至 150°C
• 靜態和動態特性： 包括閘極閾值電壓、漏電流、跨導和電荷參數。

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

N 通道 MOSFET 是電子工程中的基本元件，在電路中充當高效開關或放大器。它們透過使用電場來控制通道的導電性，允許或阻止電流流動。與 P 通道類型相比，N 通道類型（如 PMV230ENEAR）具有更高的電子遷移率，使其在許多應用中更有效率。

在選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師會考慮汲極-源極電壓、閘極-源極電壓、汲極電流和功率耗散等參數。PMV230ENEAR 的規格，包括其 60V 汲極-源極電壓和 1.5A 汲極電流能力，使其適用於各種應用。其緊湊的 SOT23 封裝有利於空間受限的設計。

PMV230ENEAR 中使用的溝槽 MOSFET 技術提供了降低的導通電阻和改進的開關性能，這對於高效率應用至關重要。此外，ESD 保護和車規級認證 (AEC-Q101) 等功能對於需要高可靠性和穩健性的應用也很重要。

總體而言，選擇 N 通道 MOSFET 涉及在電氣規格、封裝和 ESD 保護等附加功能之間取得平衡。PMV230ENEAR 結合了高性能、緊湊封裝和可靠性功能，使其成為設計電子系統的工程師的絕佳選擇。