PMV164ENEAR: 60 V，N 通道溝槽 MOSFET，SOT23 封裝，邏輯電平相容

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PMV164ENEAR 是一款採用溝槽 MOSFET 技術的 N 通道增強型場效電晶體 (FET)。它封裝在緊湊的 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著裝置 (SMD) 塑膠封裝中，適用於空間寶貴的各種應用。此元件設計用於在邏輯電位下運作，使其與現代微控制器介面相容。

PMV164ENEAR 的主要特點包括高達 175°C 的擴展操作溫度範圍和超過 2 kV HBM (class H2) 的內建靜電放電 (ESD) 保護。它也通過了 AEC-Q101 認證，表明其適用於汽車應用。這些屬性結合該裝置的低導通電阻，使其成為電源管理任務的高效選擇。

• 汲極-源極電壓 (VDS)： 60 V
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20 V
• 汲極電流 (ID)： 1.6 A @ VGS = 10 V, 25°C
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon)： 164 至 218 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 1.6 A, 25°C
• 總功耗 (Ptot)： 640 mW @ 25°C
• 接面溫度 (Tj)： -55 至 175°C
• ESD 保護： > 2 kV HBM

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

N 通道 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路的開關和放大用途。它們透過使用電場來控制汲極和源極端子之間的電流流動。N 通道名稱指的是在源極和汲極之間形成的通道中移動的電荷載子（電子）類型。

選擇 N 通道 MOSFET 時，重要的考量因素包括最大汲極-源極電壓 (VDS)、可處理的最大電流 (ID)、閘極-源極電壓 (VGS) 以及汲極-源極導通電阻 (RDSon)。這些參數決定了元件對特定應用的適用性，包括其效率和功率處理能力。

MOSFET 是現代電子產品不可或缺的一部分，應用於電源轉換、馬達控制，並作為各種類型電子開關的關鍵元件。它們快速且高效率切換的能力使其在電源管理和數位電路中特別有價值。

對於工程師來說，選擇合適的 MOSFET 涉及了解其應用的具體需求，包括操作環境、功率等級和切換速度。裝置的封裝、熱特性以及任何附加功能（如內建保護機制）也可能影響選擇過程。