PMV164ENEAR是一款N通道增強型場效應電晶體（FET），採用溝槽MOSFET技術。它封裝在一個緊湊的SOT23（TO-236AB）表面貼裝器件（SMD）塑膠封裝中，適用於空間緊湊的各種應用。該元件設計用於邏輯級別，使其與現代微控制器接口兼容。
PMV164ENEAR的關鍵特點包括最高可達175°C的擴展操作溫度範圍和超過2 kV HBM（H2級）的內建靜電放電（ESD）保護。它還通過AEC-Q101資格認證，表明其適用於汽車應用。這些屬性，結合該設備的低導通電阻，使其成為電源管理任務的高效選擇。
晶體管
N通道MOSFET是一種廣泛用於電子電路中的開關和放大目的的場效應晶體管（FET）。它們通過使用電場來控制從源極到漏極之間的電流流動來運作。N通道的指定是指通過源極和漏極之間形成的通道移動的電荷載體（電子）。
在選擇N通道MOSFET時，重要的考慮因素包括最大漏源電壓（VDS）、它能處理的最大電流（ID）、閘源電壓（VGS）和漏源導通電阻（RDSon）。這些參數決定了裝置適用於特定應用的能力，包括其效率和功率處理能力。
MOSFET是現代電子設備不可或缺的一部分，應用於功率轉換、電機控制，以及各種類型的電子開關中。它們能夠快速且高效地切換，使其在功率管理和數字電路中特別有價值。
對於工程師來說，選擇合適的MOSFET需要了解其應用的具體要求，包括操作環境、功率水平和切換速度。裝置的封裝、熱特性以及任何額外功能，如內置保護機制，也可能影響選擇過程。