PMV120ENEAR: 60V，N 通道溝槽 MOSFET，SOT23 封裝，邏輯電位兼容

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PMV120ENEA 是一款 N 通道增強模式場效電晶體 (FET)，採用溝槽式 MOSFET 技術，封裝在緊湊的 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中。該元件專為電子電路中的高效電源管理而設計，提供快速開關能力和邏輯電平相容性，使其適用於廣泛的應用。

主要特點包括超過 2 kV 的靜電放電 (ESD) 保護（根據人體模型 HBM），確保在惡劣環境中的堅固性和可靠性。此外，PMV120ENEA 符合 AEC-Q101 資格，表明其適用於汽車應用。與傳統 MOSFET 相比，其 Trench MOSFET 技術在功率效率和熱管理方面實現了改進的性能。

• 汲極-源極電壓 (VDS)： 最大 60V
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20V
• 汲極電流 (ID)： 2.1A (VGS = 10V, 25°C)
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon)： 96 至 123mΩ (VGS = 10V, ID = 2.1A, 25°C)
• 總閘極電荷 (QG(tot))： 5.9 至 7.4nC
• ESD 保護： >2kV HBM

• 繼電器驅動器
• 高速線路驅動器
• 低側負載開關
• 開關電路

N 通道 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路中以切換和放大訊號。它們透過使用電場來控制源極和汲極端子之間的電流流動。N 通道名稱是指使用帶負電的電子作為電荷載子。

選擇 N 通道 MOSFET 時，應考慮幾個關鍵參數，包括汲極-源極電壓、閘極-源極電壓、汲極電流和導通電阻。這些參數決定了 MOSFET 處理電壓和電流水準的能力，以及其效率和熱性能。

MOSFET 是電源管理、驅動負載和訊號開關應用中的重要元件。它們的快速開關速度、高效率和處理大功率的能力使其適用於從消費性電子產品到汽車系統的廣泛應用。

PMV120ENEA 中使用的溝槽式 MOSFET 技術通過降低導通電阻和增強熱特性來提供改進的性能，從而實現更高效的電力使用並減少熱量產生。這項技術在需要高功率密度和效率的應用中特別有益。