BSS138BKVL: N 通道 Trench MOSFET，60V，360mA，SOT23 封裝

NXP Semiconductors

NXP Semiconductors 的 BSS138BKVL 是一款採用 Trench MOSFET 技術的 N 通道增強型場效電晶體 (FET)。它封裝在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面黏著元件 (SMD) 塑膠封裝中，為空間有限的設計提供了緊湊的佔位面積。此元件設計為邏輯電位可相容，便於整合到數位電路中。

BSS138BKVL 的主要特點包括非常快速的切換能力和高達 1.5 kV 的內建靜電放電 (ESD) 保護，可在處理和操作期間保護裝置。此元件採用的溝槽 MOSFET 技術提供了優於傳統 MOSFET 的性能特性，例如更低的導通電阻和減少的閘極電荷，這有助於提高應用效率。

• 汲極-源極電壓 (VDS): 60 V
• 閘極-源極電壓 (VGS): ±20 V
• 汲極電流 (ID): 360 mA (VGS = 10 V, Tamb = 25°C)
• 汲極-源極導通電阻 (RDSon): 1 至 1.6 Ω (VGS = 10 V, ID = 350 mA)
• 總功耗 (Ptot): 350 mW (Tamb = 25°C)
• 結溫 (Tj): -55 至 150 °C

• 繼電器驅動器
• 低側負載開關
• 高速線路驅動器
• 開關電路

N 通道 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路中進行開關和放大。它們透過使用電場來控制汲極和源極端子之間的電流流動。N 通道指的是流經元件的電荷載子（電子）類型。

在為特定應用選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師應考慮汲極-源極電壓、閘極-源極電壓、汲極電流、導通電阻和功耗等參數。這些參數決定了 MOSFET 處理所需電壓和電流水準的能力，以及其效率和熱性能。

N 通道 MOSFET 通常用於需要高效電源管理的應用，例如電源供應器、馬達控制器和開關電路。它們能夠以最小的功率損耗在開啟和關閉狀態之間快速切換，使其成為高速和高效率應用的理想選擇。此外，整合 ESD 保護和邏輯電平相容性等功能可以簡化電路設計並提高可靠性。