2N7002MTF: N 通道 MOSFET，60V，5.0Ω，115mA，SOT-23

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2N7002MTF 是一款專為小訊號應用設計的 N 通道 MOSFET，封裝在緊湊的 SOT-23 封裝中。此元件的特點是其汲極-源極電壓 (BVDSS) 為 60V，導通電阻 (RDS(on)) 為 5.0Ω，以及在 25°C 時的連續汲極電流 (ID) 為 115mA。其設計重點是透過較低的 RDS(on)、改進的電感耐用性、快速切換時間和降低的輸入電容來增強性能。

主要特點包括擴展的安全工作區和改進的高溫可靠性，使其適用於廣泛的應用。該元件還具有快速開關能力和低功耗，這有助於其在各種電路配置中的效率。2N7002MTF MOSFET 的堅固設計和電氣特性使其成為工程師優化其小訊號開關應用的理想選擇。

• 汲極-源極電壓 (BVDSS)： 60V
• 導通電阻 (RDS(on))： 5.0Ω
• 25°C 時的連續汲極電流 (ID)： 115mA
• 閘極-源極電壓 (VGS)： ±20V
• 25°C 時的總功耗： 0.2W
• 工作接面和儲存溫度範圍： -55 至 +150°C
• 接面至環境熱阻： 625℃/W

• 開關應用
• 電源管理
• 訊號處理

金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 是一種用於放大或切換電子訊號的電晶體。由於其高效率和快速切換能力，它們是各種電子裝置中的關鍵元件。特別是 N 通道 MOSFET，由於能夠有效處理高電流和電壓，被廣泛應用於電源轉換和管理應用中。

在為特定應用選擇 MOSFET 時，工程師應考慮汲極-源極電壓 (BVDSS)、導通電阻 (RDS(on)) 和連續汲極電流 (ID) 等因素。這些參數決定了 MOSFET 的導電能力及其在電路中的效率。此外，封裝類型和熱特性對於確保元件在各種環境條件下可靠運作也很重要。

MOSFET 是設計節能電源、馬達控制和逆變器電路不可或缺的部分。它們的快速開關時間和低功耗使其適用於高頻應用。然而，適當的熱管理和驅動電路設計對於防止損壞和確保壽命至關重要。

總體而言，MOSFET 的選擇應符合應用的電壓、電流和熱需求。了解關鍵規格及其如何影響性能將有助於為特定設計選擇最適當的元件。