onsemi 的 2N7002LT3G 是一款適用於小信號應用的 N 通道 MOSFET，封裝在緊湊的 SOT-23 封裝中。該元件提供 60V 的漏源電壓 (VDSS) 和最大 115mA 的漏電流 (ID)，適用於各種低功耗應用。它以低導通電阻和高速開關能力為特點。該裝置獲得 AEC-Q101 資格認證，適用於汽車應用，並且是無鉛、無鹵素/BFR 免費和符合 RoHS 的，反映了 onsemi 對環境可持續性的承諾。
MOSFET 的最大 RDS(on) 為 10V 時的 7.5Ω，表明其在以最小功率損失導通電流方面的效率。它還支持高達 800mA 的脈衝漏電流（IDM），允許瞬時更高電流操作。該裝置的熱特性確保了可靠的操作，最大結溫為 150°C。其動態特性包括輸入電容（Ciss）為 50pF，使其在高速開關應用中響應迅速。
MOSFET
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種用於放大或切換電子信號的晶體管。它們以閘極、漏極和源極為特徵。N通道MOSFET，如2N7002LT3G，在閘極相對於源極施加正電壓時導通電流，使它們適用於多種切換應用。
在選擇MOSFET時，工程師會考慮諸如漏源電壓（VDSS）、漏電流（ID）、閘源電壓（VGS）和靜態漏源導通電阻（RDS(on)）等參數。這些參數決定了MOSFET處理電壓和電流的能力、其效率以及其適用於高速開關應用的適用性。熱特性也很重要，因為它們影響設備在不同運行條件下的可靠性和壽命。
MOSFET廣泛用於功率管理電路、電機控制系統以及在各種電子設備中切換負載。它們能夠快速且高效地切換，對於減少電子系統的功率消耗和熱生成非常有價值。此外，選擇N通道和P通道MOSFET取決於電路的具體要求，包括電流流向和驅動負載的類型。
總的來說，選擇MOSFET需要仔細分析其電氣特性、熱性能和應用的特定要求。在選擇過程中，可靠性、效率和符合環境標準也是關鍵考慮因素。