2N7002LT3G 是 onsemi 的 N 通道 MOSFET，專為小訊號應用設計，採用緊湊的 SOT-23 封裝。此元件提供 60V 的汲極-源極電壓 (VDSS) 和 115mA 的最大汲極電流 (ID)，使其適用於各種低功耗應用。其特點是低導通電阻和高速開關能力。該元件符合 AEC-Q101 標準，適合汽車應用，並且無鉛、無鹵素/無 BFR，符合 RoHS 標準，反映了 onsemi 對環境永續性的承諾。
該 MOSFET 的最大 RDS(on) 為 7.5Ω (在 10V 時)，表明其在導通電流時具有極小的功率損耗。它還支援高達 800mA 的脈衝汲極電流 (IDM)，允許瞬態較高電流操作。該元件的熱特性確保了可靠的運作，最大接面溫度為 150°C。其動態特性包括 50pF 的輸入電容 (Ciss)，使其在高速開關應用中反應靈敏。
MOSFET
MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）是一種用於放大或切換電子訊號的電晶體。它們的特徵在於其閘極、汲極和源極端子。N 通道 MOSFET（例如 2N7002LT3G）在相對於源極對閘極施加正電壓時導通電流，使其適用於各種切換應用。
為特定應用選擇 MOSFET 時，工程師會考慮汲極-源極電壓 (VDSS)、汲極電流 (ID)、閘極-源極電壓 (VGS) 和靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(on)) 等參數。這些參數決定了 MOSFET 處理電壓和電流的能力、效率以及是否適合高速開關應用。熱特性也很重要，因為它們會影響元件在不同工作條件下的可靠性和壽命。
MOSFET 廣泛用於電源管理電路、馬達控制系統以及各種電子設備中的負載切換。它們能夠快速且高效地切換，使其在降低電子系統的功耗和發熱方面非常有價值。此外，N 通道和 P 通道 MOSFET 之間的選擇取決於電路的具體要求，包括電流流動的方向和被驅動負載的類型。
總體而言，選擇 MOSFET 需要仔細分析其電氣特性、熱性能以及應用的具體要求。可靠性、效率和符合環境標準也是選擇過程中的關鍵考量因素。