2N7002ET7G 是 onsemi 推出的 N 通道 MOSFET，專為高效電源管理和開關應用而設計。它具有 60V 的汲極-源極電壓 (VDS) 和 310mA 的最大連續汲極電流 (ID)，適用於各種低功耗應用。此元件利用溝槽技術實現低導通電阻 (RDS(on)) 值，在 10V 時為 2.5Ω，在 4.5V 時為 3.0Ω，確保高效運作並減少功耗。
其緊湊的 SOT-23 封裝針對表面貼裝技術進行了優化，允許高密度的 PCB 佈局。2N7002ET7G 符合 AEC-Q101 標準且具備 PPAP 能力，表明其可靠性和適用於汽車應用。此外，它是無鉛、無鹵素/無 BFR 且符合 RoHS 標準的，使其成為電子設計的環保選擇。
MOSFET
MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）是一種用於放大或切換電子訊號的電晶體。由於其高效率和快速切換能力，它們是各種電子設備中的重要元件。N 通道 MOSFET（如 2N7002ET7G）通常用於負載電流需要由施加到閘極端子的電壓控制的應用中。
在為特定應用選擇 MOSFET 時，有幾個參數需要考慮，包括汲極-源極電壓 (VDS)、閘極-源極電壓 (VGS)、連續汲極電流 (ID) 和導通電阻 (RDS(on))。這些參數決定了 MOSFET 處理所需功率水準的能力及其在電路中的效率。
封裝類型在元件的性能中也起著重要作用，特別是在熱管理和 PCB 上的佔用空間方面。對於需要高可靠性的應用（如汽車或工業應用），考慮元件是否符合行業標準和資格認證也很重要。
總體而言，MOSFET 的選擇將顯著影響其所用電子設備的性能、效率和可靠性。因此，徹底了解元件的規格以及它們如何符合應用需求對於優化設計至關重要。