2N7002ET7G: N通道MOSFET，60V，310mA，SOT-23，低RDS(on)

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onsemi 的 2N7002ET7G 是一款 N 通道 MOSFET，專為高效電源管理和切換應用而設計。它具有 60V 的漏源電壓（VDS）和 310mA 的最大連續漏電流（ID），適用於各種低功率應用。該組件利用溝槽技術實現了在 10V 下 2.5Ω 和在 4.5V 下 3.0Ω 的低導通電阻（RDS(on)）值，確保高效運行和降低功耗。

其緊湊的SOT-23封裝適用於表面貼裝技術，允許高密度PCB布局。2N7002ET7G獲得AEC-Q101資格認證和PPAP能力，表明其適用於汽車應用的可靠性。此外，它是無鉛、無鹵素/BFR免費，並符合RoHS標準，使其成為電子設計中的環保選擇。

• 漏源電壓（VDS）：60V
• 連續漏電流（ID）：310mA
• 導通電阻（RDS(on)）：在10V時2.5Ω，在4.5V時3.0Ω
• 閘源電壓（VGS）：±20V
• 功率耗散：穩態300mW，<5s時420mW
• 工作結點溫度範圍：-55°C至+150°C
• 封裝：SOT-23

• 低側負載開關
• 級移電路
• DC-DC轉換器
• 便攜式應用（例如，數碼相機、PDA、手機）

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種用於放大或切換電子信號的晶體管。由於其高效率和快速切換能力，它們是廣泛電子設備中不可或缺的元件。N通道MOSFET，如2N7002ET7G，通常用於需要通過閘極端電壓控制負載電流的應用中。

在選擇特定應用的MOSFET時，幾個參數非常重要，包括汲-源電壓（VDS）、閘-源電壓（VGS）、連續汲電流（ID）和導通電阻（RDS(on)）。這些參數決定了MOSFET處理所需功率水平的能力及其在電路中的效率。

封裝類型在元件性能中也扮演著重要角色，特別是在熱管理和PCB上的足跡方面。對於需要高可靠性的應用，如汽車或工業，還應考慮元件是否符合行業標準和資格。

總的來說，MOSFET的選擇將顯著影響其用於的電子裝置的性能、效率和可靠性。因此，對元件規格的徹底了解以及它們如何與應用要求對齊對於優化設計至關重要。