PMV90ENER: 30 V，SOT23 封装 N 沟道沟槽 MOSFET，逻辑电平兼容，快速开关

Nexperia

Nexperia 的 PMV90ENE 是一款 30 V、N 沟道沟槽 MOSFET，专为需要高效功率控制和转换的各种应用而设计。它封装在紧凑的 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中，利用先进的沟槽 MOSFET 技术在小尺寸下实现高性能。

此 MOSFET 的特点是其逻辑电平兼容性，允许它直接由逻辑电路驱动，无需额外的驱动元件。它还具有非常快的开关能力，增强了其在高速和高频应用中的适用性。该器件包括超过 2 kV HBM 的静电放电 (ESD) 保护，保护其免受静电放电的损坏。

• 漏源电压 (VDS)： 最大 30 V
• 栅源电压 (VGS)： ±20 V
• 漏极电流 (ID)： 最大 3.7 A，在 VGS = 10 V，Tamb = 25 °C 时
• 漏源导通电阻 (RDSon)： 54 - 72 mΩ，在 VGS = 10 V，ID = 3 A 时
• 总功耗 (Ptot)： 最大 460 mW，在 Tamb = 25 °C 时
• 结温 (Tj)： -55 至 150 °C

• 继电器驱动器
• 高速线路驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

N 沟道沟槽 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，它利用沟槽栅极结构来实现比传统平面 MOSFET 更高的密度和效率。由于能够有效地控制电路中的功率流，这些元件广泛用于功率转换和管理应用。

在选择 N 沟道沟槽 MOSFET 时，工程师应考虑漏源电压 (VDS)、栅源电压 (VGS)、漏极电流 (ID) 和漏源导通电阻 (RDSon) 等参数。这些参数决定了 MOSFET 在给定应用中处理所需功率水平和开关频率的能力。

此外，封装类型和热特性也是重要的考虑因素。SOT23 封装因其紧凑的尺寸而广受欢迎，使其适用于空间受限的应用。热管理对于防止过热和确保在各种条件下可靠运行至关重要。

最后，逻辑电平兼容性和 ESD 保护等功能有利于简化电路设计并增强元件的耐用性。