PMV90ENER: 30V，N沟道沟槽MOSFET，SOT23封装，逻辑电平兼容，快速切换

Nexperia

Nexperia的PMV90ENE是一款30 V，N沟道沟槽MOSFET，设计用于需要高效电力控制和转换的各种应用。它采用紧凑的SOT23（TO-236AB）表面贴装（SMD）塑料封装，利用先进的沟槽MOSFET技术，在小尺寸中实现高性能。

这款MOSFET的特点是逻辑电平兼容，允许直接由逻辑电路驱动，无需额外的驱动组件。它还具有非常快的切换能力，增强了其适用于高速和高频应用的适用性。该器件包括超过2 kV HBM的静电放电（ESD）保护，保护其免受静电放电的损害。

• 漏源电压（VDS）： 最大30 V
• 栅源电压（VGS）： ±20 V
• 漏电流（ID）： 在VGS = 10 V，Tamb = 25 °C时最大3.7 A
• 漏源导通电阻（RDSon）： 在VGS = 10 V，ID = 3 A时54 - 72 mΩ
• 总功耗（Ptot）： 在Tamb = 25 °C时最大460 mW
• 结温度（Tj）： -55至150 °C

• 继电器驱动器
• 高速线驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

N沟道沟槽MOSFET是一种采用沟槽栅结构的场效应晶体管（FET），与传统平面MOSFET相比，实现了更高的密度和效率。这些组件广泛用于电力转换和管理应用中，因为它们能够有效地控制电路中的电力流动。

在选择N沟道槽式MOSFET时，工程师应考虑诸如漏源电压（VDS）、栅源电压（VGS）、漏电流（ID）和漏源导通电阻（RDSon）等参数。这些参数决定了MOSFET在给定应用中处理所需功率水平和开关频率的能力。

此外，封装类型和热特性是重要的考虑因素。SOT23封装因其紧凑的尺寸而受欢迎，适用于空间受限的应用。热管理在防止过热和确保在各种条件下的可靠运行中至关重要。

最后，逻辑电平兼容性和ESD保护等功能有助于简化电路设计并增强组件的耐用性。