Nexperia 的 2N7002P,235 是一款利用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)。它封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中，为各种应用提供了紧凑的解决方案。该组件设计用作高速线路驱动器、继电器驱动器、低侧负载开关以及开关电路等应用。
它具有 60 V 的漏源电压 (VDS)，-20 至 20 V 的栅源电压 (VGS) 范围，以及在 25°C 时高达 360 mA 的连续漏极电流 (ID)。该器件以其快速开关能力和逻辑电平兼容性为特征，使其适用于广泛的电子电路。2N7002P,235 还通过了 AEC-Q101 认证，表明其在汽车应用中的可靠性。
晶体管
N 沟道 MOSFET 是一种广泛用于电子电路中进行信号开关和放大的场效应晶体管 (FET)。它们通过使用电场来控制漏极和源极端子之间的电流流动，该电流由施加到栅极端子的电压调制。N 沟道是指在器件中传导电流的电荷载流子（电子）的类型。
选择 N 沟道 MOSFET 时，应考虑几个关键参数，包括漏源电压 (VDS)、栅源电压 (VGS) 和漏极电流 (ID)。这些参数决定了 MOSFET 在电路中的功率处理能力和效率。导通电阻 (RDSon) 也是一个重要因素，因为它影响 MOSFET 导通时的功率损耗和热量产生。
N 沟道 MOSFET 的应用多种多样，从便携式设备中的电源管理到工业应用中的电机驱动。它们的快速开关能力使其适用于高速开关应用，例如电源转换器和逆变器。
工程师还应考虑 MOSFET 的热特性，包括热阻和最大结温，以确保在各种工作条件下的可靠运行。封装选项（如 SOT23 封装）为空间受限的应用提供了紧凑的解决方案。