2N7002P,235: 60V，360mA N沟道沟槽MOSFET，SOT23封装

Nexperia

2N7002P,235由Nexperia生产，是一种N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术。它采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装（SMD）塑料封装，为各种应用提供了紧凑的解决方案。该元件设计用作高速线路驱动器、继电器驱动器、低侧负载开关和开关电路等应用。

它具有60V的漏源电压（VDS）、-20至20V的栅源电压（VGS）范围，以及在25°C下高达360mA的连续漏电流（ID）。该器件以其快速开关能力和逻辑电平兼容性为特点，适用于广泛的电子电路。2N7002P,235还获得了AEC-Q101资格认证，表明其适用于汽车应用的可靠性。

• 漏源电压（VDS）： 60 V
• 栅源电压（VGS）： -20 至 20 V
• 漏电流（ID）： 在 VGS = 10 V；Tamb = 25 °C 时为 360 mA
• 漏源导通电阻（RDSon）： 在 VGS = 10 V；ID = 500 mA 时为 1 至 1.6 Ω
• 总功率耗散（Ptot）： 在 Tamb = 25 °C 时为 350 mW
• 结温（Tj）： -55 至 150 °C

• 高速线路驱动器
• 继电器驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

N沟道MOSFET是一种在电子电路中广泛用于开关和放大信号的场效应晶体管(FET)类型。它们通过使用电场来控制漏源端子之间的电流流动，该电流由施加到栅极端子的电压调制。N沟道指的是导电电流的电荷载体（电子）类型。

在选择N沟道MOSFET时，应考虑几个关键参数，包括漏源电压（VDS）、栅源电压（VGS）和漏电流（ID）。这些参数决定了MOSFET在电路中的功率处理能力和效率。导通状态电阻（RDSon）也是一个重要因素，因为它影响MOSFET导通时的功率损失和热产生。

N沟道MOSFET的应用多样，从便携设备的电源管理到工业应用中的电机驱动。它们的快速切换能力使其适用于高速切换应用，如电源转换器和逆变器中。

工程师还应考虑MOSFET的热特性，包括热阻和最大结温，以确保在各种操作条件下的可靠运行。封装选项，如SOT23封装，为空间受限应用提供了紧凑的解决方案。