2N7002P,215: 60 V，360 mA N 沟道沟槽 MOSFET，SOT23 封装

Nexperia

Nexperia 2N7002P 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，利用沟槽 MOSFET 技术提供高效率和快速开关能力。它封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中，专为空间受限的应用而设计。该元件符合 AEC-Q101 标准，使其适用于汽车应用，并具有逻辑电平兼容性，便于在各种电路中使用。

凭借其极快的开关特性，2N7002P 非常适合需要高速运行的应用。该元器件采用的沟槽 MOSFET 技术确保了低导通电阻，有助于提高电源管理任务的效率。其紧凑的 SOT23 封装允许有效利用 PCB 空间，使其成为各种电子设计的通用选择。

• 漏源电压 (VDS)： 60 V
• 栅源电压 (VGS)： ±20 V
• 漏极电流 (ID)： 360 mA @ VGS = 10 V, Tamb = 25 °C
• 漏源导通电阻 (RDSon)： 1 Ω 至 1.6 Ω @ VGS = 10 V, ID = 500 mA
• 总功耗 (Ptot)： 350 mW @ Tamb = 25 °C
• 结温 (Tj)： -55 °C 至 150 °C
• 封装： SOT23 (TO-236AB)

• 高速线路驱动器
• 继电器驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

场效应晶体管 (FET) 是一种常用于电子电路中进行开关和放大的晶体管。N 沟道 FET（例如 2N7002P）在向栅极端子施加电压时，沿 n 型半导体路径传导电流，从而控制漏极和源极端子之间的流动。

选择 N 沟道 FET 时，重要的考虑因素包括器件可以处理的最大漏源电压 (VDS)、栅源电压 (VGS) 和漏极电流 (ID)。导通电阻 (RDSon) 也很关键，因为它影响器件的功率效率。此外，封装尺寸和热特性应符合应用的空间和热管理要求。

N 沟道 FET 用于各种应用，从电源管理和开关到信号放大。它们的快速开关速度和高效率使其适用于数字和模拟电路。工程师在选择 N 沟道 FET 时，应考虑其应用的具体要求，包括工作电压、电流、开关速度和热因素。