2N7002P,215: 60V，360mA N沟道沟槽MOSFET，SOT23封装

Nexperia

Nexperia的2N7002P是一种N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术提供高效率和快速切换能力。它采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装，专为空间受限的应用设计。该组件符合AEC-Q101资格，适用于汽车应用，并具有逻辑电平兼容性，便于在各种电路中使用。

由于其非常快速的开关特性，2N7002P非常适合需要高速操作的应用。该组件采用的沟槽MOSFET技术确保了低导通电阻，有助于其在电源管理任务中的效率。其紧凑的SOT23封装允许有效利用PCB空间，使其成为广泛电子设计的多功能选择。

• 漏源电压（VDS）： 60 V
• 栅源电压（VGS）： ±20 V
• 漏电流（ID）： 在VGS = 10 V, Tamb = 25 °C时360 mA
• 漏源导通电阻（RDSon）： 在VGS = 10 V, ID = 500 mA时1 Ω至1.6 Ω
• 总功耗（Ptot）： 在Tamb = 25 °C时350 mW
• 结温（Tj）： -55 °C至150 °C
• 封装： SOT23 (TO-236AB)

• 高速线驱动器
• 继电器驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

场效应晶体管（FET）是一种在电子电路中常用于开关和放大的晶体管类型。N沟道FET，如2N7002P，当电压施加到栅极时，沿着n型半导体路径导电，控制从漏极到源极的流动。

在选择N沟道FET时，重要的考虑因素包括器件可以处理的最大漏源电压（VDS）、栅源电压（VGS）和漏电流（ID）。导通电阻（RDSon）也至关重要，因为它影响器件的功率效率。此外，封装尺寸和热特性应符合应用的空间和热管理要求。

N沟道FET在从功率管理和开关到信号放大的多种应用中被使用。它们的快速开关速度和高效率使它们适用于数字和模拟电路。工程师在选择N沟道FET时，应考虑其应用的特定要求，包括操作电压、电流、开关速度和热考虑因素。