2N7002-7-F: N 沟道 MOSFET，60V，210mA，SOT-23，RDS(ON) 7.5Ω

Diodes Inc.

2N7002-7-F 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，旨在提供低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能。该 MOSFET 具有 60V 的最大漏源电压 (VDSS)，210mA 的连续漏极电流 (ID)，以及在 5V 栅源电压 (VGS) 下最大 7.5Ω 的 RDS(ON)。其设计针对电源管理应用中的高效率进行了优化，在小型表面贴装 SOT-23 封装中结合了低栅极阈值电压、低输入电容和快速开关速度。

该元件适用于一系列应用，包括电机控制和电源管理功能，在这些应用中，高效的功率处理和可靠的性能非常重要。2N7002-7-F 由 Diodes Inc. 制造，完全符合 RoHS 标准，使其成为环保应用的合适选择。

• 漏源电压 (VDSS): 60V
• 连续漏极电流 (ID): 210mA
• 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 7.5Ω @ VGS=5V
• 栅源电压 (VGSS): ±20V 连续, ±40V 脉冲
• 功耗 (PD): 370mW @ TA=25°C
• 热阻，结到环境 (RθJA): 348°C/W
• 封装: SOT-23

• 电机控制
• 电源管理功能

N 沟道增强型 MOSFET 因其在开关应用中的效率和可靠性而被广泛用于电子电路中。这些元件的工作原理是，当向栅极端子施加足够的电压时，允许电流在漏极和源极端子之间流动，从而有效地充当开关。N 沟道名称是指通过器件传导电流的电荷载流子（电子）的类型。

选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师会考虑几个关键参数，包括漏源电压 (VDSS)、漏极电流 (ID) 和静态漏源导通电阻 (RDS(ON))。这些参数决定了 MOSFET 处理应用电压和电流要求的能力及其效率。栅源电压 (VGSS) 也很重要，因为它影响开启和关闭器件所需的电压。

在需要高效电源管理和快速开关的应用中，MOSFET 的低 RDS(ON) 和快速开关速度特别有价值。小封装尺寸（如 SOT-23）也有利于空间受限的设计。此外，符合 RoHS 等环境标准通常也是元件选择中的一个考虑因素。

总体而言，像 2N7002-7-F 这样的 N 沟道 MOSFET 对于从电机控制到电源管理功能的广泛应用至关重要，这些应用需要高效且可靠的电源开关。