2N7002-7-F: N沟道MOSFET，60V，210mA，SOT-23，RDS(ON) 7.5Ω

Diodes Inc.

2N7002-7-F是一款N沟道增强模式MOSFET，旨在提供低导通电阻（RDS(ON)）同时保持卓越的切换性能。这款MOSFET的最大漏源电压（VDSS）为60V，持续漏电流（ID）为210mA，以及在5V的栅源电压（VGS）下最大RDS(ON)为7.5Ω。其设计针对电源管理应用的高效率进行了优化，结合了低栅阈值电压、低输入电容和快速切换速度，采用小型表面贴装SOT-23封装。

该组件适用于包括电机控制和电源管理功能在内的一系列应用，其中高效的功率处理和可靠的性能很重要。2N7002-7-F由Diodes Inc.生产，并完全符合RoHS标准，使其成为环保应用的合适选择。

• 漏源电压（VDSS）： 60V
• 持续漏电流（ID）： 210mA
• 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）： 在VGS=5V时为7.5Ω
• 栅源电压（VGSS）： ±20V持续，±40V脉冲
• 功率耗散（PD）： 在TA=25°C时为370mW
• 热阻，结到环境（RθJA）： 348°C/W
• 封装： SOT-23

• 电机控制
• 电源管理功能

N沟道增强模式MOSFET在电子电路中因其在开关应用中的效率和可靠性而广泛使用。这些元件通过在栅极端施加足够的电压时，允许电流在漏极和源极端流动，有效地充当开关。N沟道指的是通过设备导电的电荷载体（电子）的类型。

在选择N沟道MOSFET时，工程师考虑几个关键参数，包括漏源电压（VDSS）、漏电流（ID）和静态漏源导通电阻（RDS(ON)）。这些参数决定了MOSFET处理应用中的电压和电流要求的能力，以及其效率。栅源电压（VGSS）也很重要，因为它影响开关设备所需的电压。

在需要高效电源管理和快速切换的应用中，MOSFET的低RDS(ON)和快速切换速度特别有价值。如SOT-23这样的小封装尺寸对于空间受限的设计也是有利的。此外，符合环保标准如RoHS在元件选择中通常也是一个考虑因素。

总的来说，像2N7002-7-F这样的N沟道MOSFET对于从电机控制到电源管理功能的广泛应用至关重要，其中需要高效和可靠的电源开关。