2N7002: N 沟道 MOSFET，60V，200mA，SOT-23

onsemi

2N7002是由onsemi设计和制造的小信号N沟道MOSFET。利用onsemi的高单元密度DMOS技术，这款MOSFET旨在提供低导通电阻，同时保持高切换性能和可靠性。它特别适用于低电压、低电流应用，为功率MOSFET门驱动和其他切换操作提供了高效的解决方案。

该元件采用SOT-23封装，提供适用于各种电子设计的紧凑占地面积。其设计针对需要高效功率管理和控制的应用，如伺服电机控制，其中其快速切换能力和坚固性有益。该设备还以其高饱和电流能力著称，进一步增强了其在苛刻应用中的性能。

• 漏源电压（VDSS）： 60V
• 栅源电压（VGSS）： ±20V
• 连续漏电流（ID）： 200mA
• 脉冲漏电流（IDM）： 500mA
• 功耗（PD）： 400mW
• 结至环境的热阻（RθJA）： 625°C/W
• 栅阈电压（VGS(th)）： 1至2.5V
• 静态漏源导通电阻（RDS(on)）： 1.2至7.5Ω
• 工作和储存温度范围： -55至150°C

• 低压功率管理
• 伺服电机控制
• 功率MOSFET门驱动
• 通用开关应用

N沟道MOSFET是电子设计中的基本元件，作为电路中的高效开关或放大器。它们通过使用电场来控制“通道”的导电性，即在这种情况下，N型半导体材料，允许或阻止电流在漏极和源极之间流动。门极接收控制电压。

在选择N沟道MOSFET时，几个因素很重要：最大漏源电压（VDSS），它表示MOSFET可以阻挡的最大电压；漏电流（ID），即器件可以导通的最大电流；以及栅源电压（VGSS），即栅极可以安全处理的电压范围。此外，导通状态电阻（RDS(on)）至关重要，因为它影响MOSFET在导通状态下的功率损失和效率。

N沟道MOSFET的应用范围广泛，从功率管理和转换到电机控制和信号放大。它们能够快速且高效地切换，使其适用于模拟和数字电路。工程师必须考虑其应用的特定要求，包括所需的电流处理、电压水平和切换速度，以选择合适的MOSFET。

此外，由于运行时产生的热量，热管理是一个重要考虑因素。热阻和最大结温是帮助确保MOSFET在安全温度限制内运行的关键规格，保持其可靠性和寿命。