BSS138BK是Nexperia生产的一款N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，以提供高效率和性能，封装在紧凑的SOT23（TO-236AB）表面贴装（SMD）塑料封装中。该元件设计用于逻辑电平兼容，具有非常快的切换能力和高达1.5kV的静电放电（ESD）保护，适用于广泛的高速开关应用。
主要特性包括漏源电压（VDS）为60V，栅源电压（VGS）为±20V，以及在25°C环境温度下的漏电流（ID）可达360mA。BSS138BK还展示了在VGS = 10V和ID = 350mA时，低漏源导通电阻（RDSon）为1至1.6Ω，确保了高效运行。其热特性和坚固设计使其可靠地用于各种应用，包括继电器驱动器、低侧负载开关、高速线驱动器和开关电路。
晶体管
N沟道MOSFET是一种场效应晶体管（FET），广泛用于电子电路中的开关和信号放大。它们通过使用输入电压来控制通过通道的电流流动来工作。N沟道指的是通过设备移动的电荷载体（电子）的类型。
在选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师会考虑诸如漏源电压（VDS）、栅源电压（VGS）、漏电流（ID）和漏源导通状态电阻（RDSon）等参数。这些参数决定了设备处理电压、电流和功率水平的能力。
N沟道 MOSFET 以其高效率、快速开关速度和驱动大电流的能力而受到青睐。它们在各种电路中找到应用，包括电源、电机控制器和电子开关。选择 N沟道 MOSFET 时的关键考虑因素包括特定应用要求、热管理和需要保护功能（如 ESD 抗性）。
BSS138BK展示了沟槽MOSFET技术的使用，通过降低导通电阻和提高切换速度来增强性能。这使其适用于需要高效电源管理和快速切换能力的应用。