Nexperia 的 BSS138BK 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，利用沟槽 MOSFET 技术在紧凑的 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中提供高效率和高性能。该元器件专为逻辑电平兼容性而设计，具有非常快的开关能力和高达 1.5 kV 的静电放电 (ESD) 保护，使其适用于广泛的高速开关应用。
主要特性包括 60V 的漏源电压 (VDS)、±20V 的栅源电压 (VGS) 以及在 25°C 环境温度下高达 360mA 的漏极电流 (ID)。BSS138BK 还表现出较低的漏源导通电阻 (RDSon)，在 VGS = 10V 和 ID = 350mA 时为 1 至 1.6Ω，确保了高效运行。其热特性和坚固的设计使其在各种应用中都非常可靠，包括继电器驱动器、低侧负载开关、高速线路驱动器和开关电路。
晶体管
N 沟道 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，广泛用于电子电路中的信号开关和放大。它们通过使用输入电压来控制流经通道的电流来工作。N 沟道名称是指在器件中移动的电荷载流子（电子）的类型。
在选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师会考虑漏源电压 (VDS)、栅源电压 (VGS)、漏极电流 (ID) 和漏源导通电阻 (RDSon) 等参数。这些参数决定了器件有效处理电压、电流和功率水平的能力。
N 沟道 MOSFET 因其高效率、快速开关速度和驱动大电流的能力而受到青睐。它们应用于各种电路，包括电源、电机控制器和电子开关。选择 N 沟道 MOSFET 时的关键考虑因素包括具体应用要求、热管理以及对 ESD 电阻等保护功能的需求。
BSS138BK 举例说明了沟槽 MOSFET 技术的使用，该技术通过降低导通电阻和提高开关速度来增强性能。这使其适用于需要高效电源管理和快速开关功能的应用。