T2N7002BK,LM(T: N 沟道 MOSFET，60V，400mA，SOT23，RDS(ON) 1.05Ω

Toshiba

T2N7002BK 是一款专为高速开关应用设计的硅 N 沟道 MOSFET。它具有低漏源导通电阻 (RDS(ON))，在 VGS = 10V 时典型值为 1.05 Ω，使其适用于各种电路中的高效电源管理。该组件采用紧凑的 SOT23 封装，便于轻松集成到空间受限的设计中。

该 MOSFET 支持高达 60V 的漏源电压 (VDSS)，可处理高达 400mA 的连续漏极电流 (ID)，脉冲漏极电流能力高达 1200mA。它还集成了 HBM 级别为 2 kV 的 ESD 保护，增强了其在敏感环境中的可靠性。T2N7002BK 针对一系列栅源电压的性能进行了优化，在不同的工作条件下表现出多功能性。

• 漏源电压 (VDSS)： 60V
• 栅源电压 (VGSS)： ±20V
• 连续漏极电流 (ID)： 400mA
• 脉冲漏极电流 (IDP)： 1200mA
• 漏源导通电阻 (RDS(ON))： 1.05 Ω (典型值) 在 VGS = 10V 时
• 功耗 (PD)： 320 mW 至 1000 mW
• 沟道温度 (Tch)： 150°C
• ESD 保护： HBM 等级 2 kV

• 高速开关应用

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是电子设计中的基本元件，为开关和放大任务提供高效率和可靠性。它们通过电压控制漏极和源极端子之间的导电性来工作，使其成为电源管理、信号处理等必不可少的元件。

选择 MOSFET 时，关键参数包括漏源电压 (VDSS)、漏极电流 (ID)、栅源电压 (VGSS) 和漏源导通电阻 (RDS(ON))。这些参数决定了 MOSFET 处理高电压、大电流的能力及其效率。此外，封装、热管理和 ESD 保护等级也是重要的考虑因素。

对于高速开关应用，首选具有低 RDS(ON) 的 MOSFET，以最大限度地减少功率损耗和热量产生。栅源电压 (VGSS) 范围的选择也会影响与驱动电路的兼容性。此外，了解热特性并确保充分散热对于可靠运行至关重要。

总之，选择合适的 MOSFET 需要仔细分析电气特性、热性能和应用要求。像 T2N7002BK 这样的 MOSFET，凭借其低 RDS(ON) 和强大的保护功能，为寻求优化设计性能和可靠性的工程师提供了一个极具吸引力的选择。