2N7002K-T1-GE3: N 沟道 60V MOSFET，SOT-23，低 RDS(on) 2 欧姆，快速开关 25ns

Vishay

2N7002K-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道 MOSFET，专为快速开关应用而设计。它在 60V 的漏源电压 (VDS) 下工作，最大漏极电流 (ID) 为 0.3A。该器件在 VGS 为 10V 时具有 2 欧姆的低导通电阻 (RDS(on))，有助于提高电路运行效率。此外，它还拥有 2V（典型值）的低阈值电压和 25ns 的快速开关速度，从而增强了其在高速电路中的性能。

该 MOSFET 封装在紧凑的 SOT-23 (TO-236) 封装中，使其适用于空间受限的应用。它还具有低输入和输出漏电流、25pF 的低输入电容，并配备 2000V ESD 保护，确保在各种操作条件下的可靠性。2N7002K-T1-GE3 专为需要高速开关和低电压操作的应用而设计，使其成为直接逻辑电平接口、驱动器、电池供电系统和固态继电器的理想选择。

• 漏源电压 (VDS)： 60V
• 栅源电压 (VGS)： ±20V
• 25°C 时的连续漏极电流 (ID)： 0.3A
• 脉冲漏极电流 (IDM)： 0.8A
• 25°C 时的功耗 (PD)： 0.35W
• VGS = 10V 时的导通电阻 (RDS(on))： 2 Ohm
• 栅极阈值电压 (VGS(th))： 1 - 2.5V
• 输入电容 (Ciss)： 30pF
• 开启时间 (td(on))： 25ns
• 关断时间 (td(off))： 35ns

• 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
• 继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管的驱动器
• 电池供电系统
• 固态继电器

N 沟道 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，广泛用于电子电路中以切换和放大信号。它们通过使用电场来控制半导体材料中通道的导电性来工作。N 沟道 MOSFET 以其高效率和快速开关能力而著称。

选择 N 沟道 MOSFET 时，应考虑几个关键参数，包括漏源电压 (VDS)、栅源电压 (VGS)、连续漏极电流 (ID) 和导通电阻 (RDS(on))。这些参数决定了器件在特定应用中处理电压和电流的能力。此外，以开启和关断时间表示的开关速度对于需要快速开关的应用至关重要。

阈值电压 (VGS(th)) 是另一个重要因素，表示开启器件所需的最小栅源电压。较低的阈值电压在低压应用中可能具有优势。输入和输出电容会影响开关速度和开关事件期间的功耗。

N 沟道 MOSFET 用于广泛的应用，从电源管理和转换到信号处理和高速开关电路。它们的多功能性和效率使其成为现代电子设计中必不可少的元器件。