2N7002K-T1-GE3是Vishay Siliconix设计的N沟道MOSFET，专为快速开关应用而设计。它在漏源电压（VDS）为60V时工作，最大漏电流（ID）为0.3A。该设备在VGS为10V时具有2欧姆的低导通电阻（RDS(on)），有助于其在电路操作中的效率。此外，它具有2V（典型值）的低阈值电压和25ns的快速开关速度，提升了其在高速电路中的性能。
这款MOSFET采用紧凑的SOT-23（TO-236）封装，适用于空间受限的应用。它还提供低输入和输出泄漏、低输入电容25pF，并配备2000V ESD保护，确保在各种操作条件下的可靠性。2N7002K-T1-GE3设计用于需要高速开关和低电压操作的应用，是直接逻辑电平接口、驱动器、电池操作系统和固态继电器的理想选择。
MOSFET
N 沟道 MOSFET 是一种在电子电路中广泛用于切换和放大信号的场效应晶体管（FET）。它们通过使用电场来控制半导体材料中通道的导电性来工作。N 沟道 MOSFET 特别以其高效率和快速切换能力而著称。
在选择N沟道MOSFET时，应考虑几个关键参数，包括漏源电压（VDS）、栅源电压（VGS）、连续漏电流（ID）和导通电阻（RDS(on)）。这些参数决定了器件在特定应用中处理电压和电流的能力。此外，开关速度，由开启和关闭时间表示，对于需要快速开关的应用至关重要。
阈值电压（VGS(th)）是另一个重要因素，指示打开设备所需的最小栅源电压。在低电压应用中，较低的阈值电压可能是有利的。输入和输出电容影响开关速度和开关事件期间的功耗。
N沟道MOSFET在从电源管理和转换到信号处理和高速开关电路的广泛应用中被使用。它们的多功能性和效率使它们成为现代电子设计中不可或缺的元件。