PMV55ENEAR: 60V，N沟道槽式MOSFET，SOT23，逻辑电平，快速开关

Nexperia

Nexperia PMV55ENEA是一款60V，N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术。它采用紧凑的SOT23（TO-236AB）表面贴装（SMD）塑料封装，专为高密度PCB应用设计。这款MOSFET以其逻辑电平兼容性而著称，使其能够直接由逻辑电路驱动，无需额外的门驱动器。

PMV55ENEA具有非常快的开关能力，非常适合高速开关应用。它还包括内置的静电放电（ESD）保护，超过2 kV HBM，增强了在敏感环境中的鲁棒性。此外，它符合AEC-Q101标准，适用于可靠性至关重要的汽车应用。

• 漏源电压 (VDS)： 60V
• 栅源电压 (VGS)： ±20V
• 漏电流 (ID)： 在 VGS = 10V, 25°C 时为 3.1A
• 漏源导通状态电阻 (RDSon)： 在 VGS = 10V, ID = 3.1A, 25°C 时为 46 至 60mΩ
• 总栅电荷 (QG(tot))： 12.7 至 19nC
• 静态漏源击穿电压 (V(BR)DSS)： 60V
• 栅源阈值电压 (VGSth)： 1.3 至 2.7V

• 继电器驱动器
• 高速线驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

N沟道 MOSFET 是一种在电子电路中广泛用于开关和放大信号的场效应晶体管（FET）。它们通过使用电场来控制源极和漏极之间的电流流动来工作。N沟道指的是通过设备流动的电荷载体（电子）的类型。

在选择N沟道MOSFET时，关键考虑因素包括漏源电压（VDS）、栅源电压（VGS）、漏电流（ID）和漏源导通电阻（RDSon）。这些参数决定了MOSFET处理电压和电流水平的能力，以及其在开关应用中的效率和速度。

MOSFET在从电源管理和转换到信号处理的广泛应用中是必不可少的组件。选择MOSFET技术，如沟槽MOSFET，影响设备的性能特性，包括切换速度、导通电阻和对过电压的鲁棒性。

对于工程师来说，了解其应用的具体要求在选择合适的MOSFET时至关重要。这包括考虑操作环境，如温度范围和可能存在的静电放电，这些都可能影响MOSFET的性能和可靠性。