2N7002KT1G: N 沟道 SOT-23 MOSFET，60V，380mA，低 RDS(on)

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onsemi 的 2N7002KT1G 是一款专为高效应用设计的小信号 N 沟道 MOSFET。这款 MOSFET 采用紧凑的 SOT-23 封装，支持高达 60V 的漏源电压 (VDSS) 和 380mA 的最大漏极电流 (ID)。其特点是低导通电阻 (RDS(on))，在 10V 时为 1.6Ω，在 4.5V 时为 2.5Ω，从而提高了元件在电路设计中的整体效率。

该组件设计有静电放电 (ESD) 保护，确保在敏感应用中的可靠性和耐用性。其低 RDS(on) 有助于降低功耗，使其适用于对电源效率至关重要的应用。2N7002KT1G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力，使其适用于汽车应用和其他需要严格质量和可靠性标准的场景。

• 漏源电压 (VDSS): 60V
• 漏极电流 (ID MAX): 25°C 时 380mA
• RDS(on): 10V 时 1.6Ω, 4.5V 时 2.5Ω
• 栅源电压 (VGS): ±20V
• 功耗 (PD): 420mW
• ESD 保护: 2000V

• 低侧负载开关
• 电平转换电路
• DC-DC 转换器
• 便携式应用（例如，数码相机、PDA、手机）

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是电子电路中的基本元件，充当开关或放大器。它们因其高效率、快速开关速度以及易于集成到各种电路设计中而受到青睐。特别是 N 沟道 MOSFET，由于能够有效地处理大量功率，因此广泛用于电源转换和管理应用。

在为特定应用选择 MOSFET 时，工程师会考虑漏源电压 (VDSS)、漏极电流 (ID) 和导通电阻 (RDS(on)) 等参数。VDSS 参数表示 MOSFET 在关断时可以阻断的最大电压，而 ID 参数指定其在导通时可以处理的最大电流。RDS(on) 值对于评估运行期间的功率损耗至关重要，值越低表示效率越高。

除了这些参数外，封装类型和热特性也是重要的考虑因素，因为它们会影响 MOSFET 散热和在各种工作条件下保持性能的能力。ESD 电阻等保护功能对于确保元件在敏感应用中的可靠性和寿命也至关重要。

onsemi 的 2N7002KT1G MOSFET 体现了这些考虑因素，为包括汽车和便携式设备在内的广泛应用提供了性能、效率和可靠性的平衡。