2N7002KT1G: N沟道SOT-23 MOSFET，60V，380mA，低RDS(on)

onsemi

onsemi的2N7002KT1G是一款用于高效应用的小信号N沟道MOSFET。采用紧凑的SOT-23封装形式，该MOSFET支持高达60V的漏源电压（VDSS）和最大380mA的漏电流（ID）。它的低导通电阻（RDS(on)）在10V时为1.6Ω，在4.5V时为2.5Ω，提高了电路设计中元件的整体效率。

这个组件设计有对静电放电（ESD）的保护，确保在敏感应用中的可靠性和耐用性。其低RDS(on)有助于减少功耗，使其适用于功率效率至关重要的应用。2N7002KT1G已通过AEC-Q101认证并具有PPAP能力，适用于需要严格质量和可靠性标准的汽车应用和其他场景。

• 漏源电压（VDSS）：60V
• 漏电流（ID MAX）：380mA在25°C
• RDS(on)：1.6Ω在10V，2.5Ω在4.5V
• 栅源电压（VGS）：±20V
• 功率耗散（PD）：420mW
• ESD保护：2000V

• 低侧负载开关
• 电平移位电路
• DC-DC转换器
• 便携式应用（例如，数码相机、PDA、手机）

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是电子电路中的基本组件，作为开关或放大器。它们因其高效率、快速切换速度和易于集成到各种电路设计中而受到青睐。特别是N沟道MOSFET在电源转换和管理应用中广泛使用，因为它们能够有效地处理显著的功率水平。

在选择特定应用的MOSFET时，工程师会考虑参数如漏源电压（VDSS）、漏电流（ID）和导通电阻（RDS(on)）。VDSS参数指示MOSFET在关闭时可以阻挡的最大电压，而ID参数指定它在开启时可以处理的最大电流。RDS(on)值对于评估运行中的功率损失至关重要，较低的值表示更高的效率。

除了这些参数外，封装类型和热特性也是重要考虑因素，因为它们影响MOSFET的散热能力和在各种操作条件下保持性能的能力。像ESD阻力这样的保护特性对于确保元件在敏感应用中的可靠性和寿命也至关重要。

2N7002KT1G MOSFET由onsemi生产，体现了这些考虑因素，为包括汽车和便携设备在内的广泛应用提供了性能、效率和可靠性的平衡。