2N7002K: N沟道MOSFET，60V，380mA，SOT-23，ESD保护

onsemi

2N7002K是onsemi开发的N沟道MOSFET，具有60V的漏源电压(VDSS)和380mA的最大漏电流(ID)。该元件采用紧凑的SOT-23封装，适用于表面贴装技术(SMT)应用。这款MOSFET的一个关键特点是其ESD保护，增强了在敏感应用中的可靠性。

2N7002K在低侧负载开关、电平转换电路和DC-DC转换器等角色中表现出色。它也非常适合便携式应用，包括数码相机、PDA、手机等。该组件是AEC-Q101合格和PPAP能力，表明其适用于汽车应用和其他需要严格质量和可靠性标准的场景。

• 漏极至源极电压（VDSS）：60V
• 最大漏极电流（ID）：25°C时380mA
• RDS(on)：10V时1.6Ω，4.5V时2.5Ω
• 栅极至源极电压（VGS）：±20V
• 脉冲漏极电流（IDM）：5.0A
• 功耗：带1平方英寸焊盘420mW，最小焊盘300mW
• 工作结温和存储温度范围：-55°C至+150°C
• ESD保护：2000V

• 低侧负载开关
• 电平转换电路
• DC-DC转换器
• 便携式应用（例如，数码相机、PDA、手机）

N沟道MOSFET是电子电路中的关键组件，充当开关或放大器。它们使得可以用低电压信号控制高功率电路，使其在功率管理、信号处理和控制应用中不可或缺。选择N沟道MOSFET时，重要的考虑因素包括漏源电压（VDSS）、漏电流（ID）、RDS（on）和封装类型。

onsemi的2N7002K MOSFET以其紧凑的SOT-23封装和ESD保护而著称，提供了性能和可靠性的完美结合。其低RDS(on)确保了高效的操作，而ESD保护增强了其在敏感环境中的耐用性。适用于汽车和便携设备应用，这款MOSFET是工程师的多功能选择。

在选择MOSFET时，工程师还应考虑热特性和功率耗散，以确保组件在其安全操作区(SOA)内工作。2N7002K的热特性使其适用于空间有限且热管理是关注点的应用。

总的来说，2N7002K代表了一种可靠、高效和多功能的选择，适用于从汽车系统到便携式电子产品的广泛应用，是工程师工具箱中的宝贵组件。