2N7002K: N 沟道 MOSFET，60V，380mA，SOT-23，ESD 保护

onsemi

2N7002K 是由 onsemi 开发的一款 N 沟道 MOSFET，具有 60V 的漏源电压 (VDSS) 和 380mA 的最大漏极电流 (ID)。该元件采用紧凑的 SOT-23 封装，非常适合表面贴装技术 (SMT) 应用。该 MOSFET 的主要特点之一是其 ESD 保护，提高了其在敏感应用中的可靠性。

2N7002K 专为各种电路而设计，在低侧负载开关、电平转换电路和 DC-DC 转换器等角色中表现出色。它也非常适合便携式应用，包括数码相机、PDA、手机等。该元件符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力，表明其适用于汽车应用和其他需要严格质量和可靠性标准的场景。

• 漏源电压 (VDSS)：60V
• 最大漏极电流 (ID)：380mA (25°C)
• RDS(on)：1.6Ω (10V), 2.5Ω (4.5V)
• 栅源电压 (VGS)：±20V
• 脉冲漏极电流 (IDM)：5.0A
• 功耗：420mW（1 平方英寸焊盘），300mW（最小焊盘）
• 工作结温和存储温度范围：-55°C 至 +150°C
• ESD 保护：2000V

• 低侧负载开关
• 电平转换电路
• DC-DC 转换器
• 便携式应用（例如数码相机、PDA、手机）

N 沟道 MOSFET 是电子电路中的关键元件，充当开关或放大器。它们能够用低电压信号控制高功率电路，使其在电源管理、信号处理和控制应用中不可或缺。选择 N 沟道 MOSFET 时，重要的考虑因素包括漏源电压 (VDSS)、漏极电流 (ID)、RDS(on) 和封装类型。

onsemi 的 2N7002K MOSFET 以其紧凑的 SOT-23 封装和 ESD 保护而著称，兼具性能和可靠性。其低 RDS(on) 确保高效运行，而 ESD 保护增强了其在敏感环境中的耐用性。这款 MOSFET 适用于汽车和便携式设备应用，是工程师的多功能选择。

在选择 MOSFET 时，工程师还应考虑热特性和功耗，以确保组件在其安全工作区 (SOA) 内运行。2N7002K 的热特性使其适用于空间有限且热管理受到关注的应用。

总体而言，2N7002K 代表了一种可靠、高效且多功能的选项，适用于从汽车系统到便携式电子产品的广泛应用，使其成为工程师工具包中的宝贵组件。