2N7002K-7: N 沟道增强型 MOSFET，60V，380mA，SOT23

Diodes Inc.

Diodes Inc. 的 2N7002K-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，专为高效电源管理和电机控制应用而设计。它采用紧凑的 SOT23 封装，适合高密度 PCB 布局。该 MOSFET 的特点是低导通电阻 (RDS(ON)) 和快速开关能力，这对于最大限度地减少功率损耗和提高整体系统效率至关重要。

2N7002K-7 的最大漏源电压 (VDSS) 为 60V，在 25°C 时的连续漏极电流 (ID) 能力高达 380mA，非常适合各种应用。它还具有低输入和输出漏电流，确保在关断状态下功率浪费最小。该器件具有高达 2kV 的 ESD 保护，在恶劣环境中提供了额外的可靠性和稳健性。

• 漏源电压 (VDSS)： 60V
• 连续漏极电流 (ID)： 25°C 时为 380mA
• 静态漏源导通电阻 (RDS(ON))： VGS = 10V 时为 2Ω
• 栅源电压 (VGSS)： ±20V
• 最大功耗 (PD)： 370mW
• 工作温度范围： -55 至 +150°C
• 封装： SOT23

• 电机控制
• 电源管理功能
• 背光

N 沟道增强型 MOSFET 是广泛用于电子电路中进行开关和放大的半导体器件。这些组件通过利用电场控制半导体材料中通道的导电性来工作，从而允许或阻断电流流动。

在选择N沟道MOSFET时，工程师应考虑几个关键参数，如漏源电压（VDSS）、连续漏极电流（ID）和静态漏源导通电阻（RDS(ON)）。这些参数决定了MOSFET在给定应用中处理电压和电流水平的能力，以及其效率和热性能。

此外，开关速度、输入电容和封装也是重要因素。为了减少开关损耗，需要快速的开关速度，而低输入电容有助于实现更高的工作频率。封装类型影响热管理以及 MOSFET 在电路中的物理集成。

N 沟道 MOSFET 通常用于电源电路、电机控制应用以及作为各种电子设备中的开关元件。它们能够有效地控制高电流和电压，同时最大限度地减少功率损耗，这使它们成为现代电子设计中必不可少的元器件。