2N7002BK,215: 60 V，350 mA N 沟道沟槽 MOSFET，SOT23 封装

Nexperia

Nexperia 的 2N7002BK 是一款采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)。它封装在紧凑的 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中，专为具有极快开关能力的逻辑电平应用而设计。该组件配备高达 2 kV 的 ESD 保护，确保在各种应用中具有强大的性能。

该 MOSFET 的特点是漏源电压 (VDS) 为 60 V，25°C 时的漏极电流 (ID) 为 350 mA，栅源电压 (VGS) 为 ±20 V。在栅源电压为 10 V 且漏极电流为 500 mA 时，漏源导通电阻 (RDSon) 指定在 1 到 1.6 Ω 之间。其热特性和动态参数（包括总栅极电荷和输入/输出电容）针对高速开关应用进行了优化。

• 漏源电压 (VDS): 60 V
• 漏极电流 (ID): 350 mA (25°C)
• 栅源电压 (VGS): ±20 V
• 漏源导通电阻 (RDSon): 1 至 1.6 Ω (VGS = 10 V, ID = 500 mA)
• 总功耗 (Ptot): 370 mW (25°C)
• 结温 (Tj): 150 °C
• ESD 保护: 高达 2 kV
• 封装: SOT23 (TO-236AB)

• 继电器驱动器
• 高速线路驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

N 沟道 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，主要用于各种类型的电子设备中的电子信号开关和放大。它们通过使用电场来控制源极和漏极端子之间的电流流动。N 沟道是指流经器件的电荷载流子（电子）的类型。

在选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师应考虑漏源电压 (VDS)、漏极电流 (ID)、栅源电压 (VGS) 和漏源导通电阻 (RDSon) 等参数。其他重要因素包括器件的功耗能力、热阻以及任何保护功能，如 ESD 保护。

MOSFET 是电源电路、电机控制电路设计以及各种电子设备中作为开关不可或缺的部分。它们快速开关的能力使其适用于高速和高频应用。封装的选择（例如 SOT23）也很关键，会影响电路设计中的热管理和元件的整体占用空间。

总体而言，N 沟道 MOSFET 的选择应以应用的具体要求为指导，包括工作电压和电流水平、开关速度、热考虑因素和封装限制。