PMV37ENEAR: 60 V，N 沟道沟槽 MOSFET，SOT23，逻辑电平兼容

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PMV37ENEA 是一款 60 V N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，利用沟槽 MOSFET 技术提供高效率和高性能。它封装在紧凑的 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中，专为广泛的应用而设计。该组件的特点是其逻辑电平兼容性，允许它直接由逻辑电路驱动，无需额外的驱动 IC。此外，它支持高达 175 °C 的扩展温度范围，使其适用于高温环境。

PMV37ENEA 具有超过 2 kV HBM（H2 级）的静电放电 (ESD) 保护，并符合 AEC-Q101 标准，专为汽车和其他要求苛刻的应用中的可靠性和稳健性而设计。其低导通电阻和高效率使其成为电源管理任务的绝佳选择，包括继电器驱动、高速线路驱动、低侧负载开关和各种开关电路。

• 漏源电压 (VDS)： 60 V
• 栅源电压 (VGS)： ±20 V
• 漏极电流 (ID)： 3.5 A @ VGS = 10 V, 25 °C
• 漏源导通电阻 (RDSon)： 37 mΩ 至 49 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 3.5 A, 25 °C
• 总功耗 (Ptot)： 710 mW @ 25 °C
• 结温 (Tj)： -55 °C 至 175 °C
• ESD 保护： > 2 kV HBM

• 继电器驱动器
• 高速线路驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

N 沟道 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，广泛用于电子电路中的信号开关和放大。它们通过使用电场来控制漏极和源极端子之间的电流流动。N 沟道是指在器件中传导电流的电荷载流子（电子）的类型。

选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师应考虑漏源电压 (VDS)、栅源电压 (VGS)、漏极电流 (ID) 和漏源导通电阻 (RDSon) 等参数。这些参数决定了 MOSFET 对不同应用的适用性，包括电源管理、信号处理和高频开关。

沟槽 MOSFET 技术在更低的导通电阻和更高的效率方面具有优势，使其适用于需要高功率密度和最小发热的应用。逻辑电平兼容性允许直接与微控制器或逻辑电路接口，从而简化了设计。

除了电气规格外，封装类型、热特性和保护功能（例如 ESD 保护）等因素也很重要。这些方面会影响 MOSFET 在特定应用中的性能及其承受恶劣工作条件的能力。