2N7002LT1G: N沟道MOSFET，SOT-23，60V，115mA，低导通电阻

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onsemi生产的2N7002LT1G是一款用于小信号开关应用的N沟道MOSFET。它采用紧凑的SOT-23封装，支持高达60V的漏源电压（VDSS）和在25°C时115mA的连续漏电流（ID）。它在VGS = 10V时具有7.5欧姆的低导通电阻（RDS(on)），在电路操作中提高了其效率。

该设备还提供了强大的热性能，FR-5板上的最大结-环境热阻（RθJA）为556°C/W。对于需要更高热效率的应用，该设备在氧化铝基板上的性能显示出改进的RθJA为417°C/W。2N7002LT1G旨在处理高达800mA的脉冲漏电流（IDM），为各种设计要求提供灵活性。其动态特性包括输入、输出和反向传输电容，便于在开关应用中进行精确建模。

• 漏源电压（VDSS）： 60V
• 持续漏电流（ID）： 在25°C时为115mA
• 脉冲漏电流（IDM）： 800mA
• 栅源电压（VGS）： ±20V
• 导通电阻（RDS(on)）： 在VGS = 10V时为7.5 Ohms
• 热阻，结-环境（RθJA）： 在FR-5板上为556 °C/W，在氧化铝基板上为417 °C/W
• 输入电容（Ciss）： 50 pF
• 输出电容（Coss）： 25 pF
• 反向转移电容（Crss）： 5.0 pF

• 小信号切换
• 电源管理
• 负载开关应用

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于放大或切换电子信号的晶体管。由于它们具有高输入阻抗，最小化了来自输入源的电流抽取，并且能够高速运行，因此它们在电子设备中得到了广泛使用。N沟道MOSFET，如2N7002LT1G，在相对于源极对栅极施加正电压时导通，使其适用于包括电源管理、负载切换和信号放大在内的多种应用。

在为特定应用选择MOSFET时，重要参数包括漏源电压（VDSS）、漏电流（ID）、导通电阻（RDS(on)）和热特性。VDSS等级指示MOSFET在关闭时可以阻挡的最大电压，而ID等级提供了它在导通时可以传导的最大电流。RDS(on)值对于功率效率至关重要，因为较低的值会导致较少的功率耗散。热特性，如结-环境热阻（RθJA），也对确保设备在安全温度限制内运行很重要。

除了这些参数外，MOSFET的开关特性，如开启和关闭时间，对于需要快速开关速度的应用至关重要。体二极管特性，描述了漏源之间内在二极管的行为，对于涉及反向电流流动的应用相关。总的来说，选择MOSFET应基于对其电气和热性能的全面评估，以满足预期应用的具体要求。