SQ2364EES-T1_GE3: 汽车级 N 沟道 60 V，175 °C，SOT-23 MOSFET

Vishay

Vishay 的 SQ2364EES-T1_GE3 是一款专为汽车应用设计的 N 沟道 MOSFET，封装在紧凑的 SOT-23 封装中。该元器件的特点是能够在高达 175 °C 的高温下工作，使其适用于苛刻的环境。它通过了 AEC-Q101 认证，确保了汽车级的可靠性和性能。该 MOSFET 采用 TrenchFET® 技术，提供了更高的效率和更低的导通电阻。

关键属性包括 60 V 的漏源电压 (VDS) 和 25 °C 时 2 A 的连续漏极电流 (ID)，能够处理高达 8 A 的脉冲漏极电流。它还提供高达 800 V 的强大 ESD 保护。该器件在各种栅源电压下的低导通电阻 (RDS(on)) 突显了其导电效率。此外，它经过 100% Rg 和 UIS 测试，确保所有单元的一致性能。

• 漏源电压 (VDS)： 60 V
• 栅源电压 (VGS)： ± 8 V
• 连续漏极电流 (ID) @ 25 °C： 2 A
• 脉冲漏极电流 (IDM)： 8 A
• RDS(on) @ VGS = 1.5 V： 0.245 Ω
• 最大功耗 @ 25 °C： 3 W
• 工作结温范围： -55 至 +175 °C
• 封装： SOT-23

• 汽车电子
• 电源管理系统
• 高温应用

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于放大或开关电子信号的晶体管。由于其高效率、可靠性以及处理大功率水平的能力，它们被广泛用于电子设备中。特别是 N 沟道 MOSFET，因其高电子迁移率和易于集成到各种电路中而受到青睐。

为特定应用选择 MOSFET 时，应考虑几个因素，包括漏源电压 (VDS)、栅源电压 (VGS)、连续漏极电流 (ID) 和导通电阻 (RDS(on))。这些参数决定了 MOSFET 处理所需功率水平的能力及其在电路中的效率。封装类型在器件的热管理中也起着至关重要的作用。

MOSFET 是电源转换和管理系统中不可或缺的一部分，为高效配电提供解决方案。它们在需要高速开关、低功耗和紧凑尺寸的应用中特别有价值。汽车应用通常需要能够在恶劣条件下（包括高温和高压）可靠运行的 MOSFET。

Vishay 的 SQ2364EES-T1_GE3 MOSFET 凭借其耐高温性和汽车级认证，体现了 MOSFET 技术的进步，满足了汽车电子和电源管理系统的严格要求。