PMV164ENEAR 是一款 N-通道增强模式场效应晶体管（FET），采用沟槽 MOSFET 技术。它封装在一个紧凑的 SOT23（TO-236AB）表面贴装设备（SMD）塑料封装中，适用于空间紧凑的广泛应用。该组件设计为在逻辑水平下操作，使其与现代微控制器接口兼容。
PMV164ENEAR的关键特性包括高达175°C的扩展工作温度范围和内置的超过2 kV HBM（H2级）的静电放电（ESD）保护。它还通过了AEC-Q101认证，表明其适用于汽车应用。这些属性，加上设备的低导通电阻，使其成为电源管理任务的高效选择。
晶体管
N沟道MOSFET是一种在电子电路中广泛用于切换和放大目的的场效应晶体管（FET）。它们通过使用电场来控制在漏极和源极之间的电流流动来工作。N沟道的指称是指通过源和漏之间形成的通道移动的电荷载体（电子）。
在选择N沟道MOSFET时，重要的考虑因素包括最大漏源电压（VDS）、它能处理的最大电流（ID）、栅源电压（VGS）和漏源导通电阻（RDSon）。这些参数决定了器件适用于特定应用的能力，包括其效率和功率处理能力。
MOSFET是现代电子学的基本组成部分，在功率转换、电机控制以及各种类型的电子开关中发挥作用。它们能够快速且高效地切换，使其在功率管理和数字电路中特别有价值。
对工程师来说，选择合适的MOSFET需要了解其应用的具体要求，包括操作环境、功率水平和切换速度。设备的封装、热特性以及任何额外的功能，如内置保护机制，也可能影响选择过程。