PMV164ENEAR 是一款利用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)。它封装在紧凑的 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中，使其适用于空间宝贵的广泛应用。该组件设计用于在逻辑电平下工作，使其与现代微控制器接口兼容。
PMV164ENEAR 的主要特性包括高达 175°C 的扩展工作温度范围和超过 2 kV HBM（H2 类）的内置静电放电 (ESD) 保护。它还通过了 AEC-Q101 认证，表明其适用于汽车应用。这些属性与其低导通电阻相结合，使其成为电源管理任务的高效选择。
晶体管
N 沟道 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，广泛用于电子电路中的开关和放大用途。它们通过使用电场来控制漏极和源极端子之间的电流流动。N 沟道名称是指在源极和漏极之间形成的沟道中移动的电荷载流子（电子）的类型。
选择 N 沟道 MOSFET 时，重要的考虑因素包括最大漏源电压 (VDS)、它可以处理的最大电流 (ID)、栅源电压 (VGS) 和漏源导通电阻 (RDSon)。这些参数决定了器件对特定应用的适用性，包括其效率和功率处理能力。
MOSFET 是现代电子产品不可或缺的一部分，在电源转换、电机控制以及作为各种类型电子开关的关键元器件中都有应用。它们快速高效开关的能力使其在电源管理和数字电路中特别有价值。
对于工程师来说，选择合适的 MOSFET 涉及了解其应用的具体要求，包括操作环境、功率水平和开关速度。器件的封装、热特性以及任何附加功能（如内置保护机制）也可能影响选择过程。