PMV120ENEAR: 60V，N 沟道沟槽 MOSFET，SOT23 封装，逻辑电平兼容

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PMV120ENEA 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在紧凑的 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。该元器件专为电子电路中的高效电源管理而设计，具有快速开关能力和逻辑电平兼容性，适用于广泛的应用。

主要特性包括超过 2 kV（根据人体模型 HBM）的静电放电 (ESD) 保护，确保在恶劣环境中的稳健性和可靠性。此外，PMV120ENEA 符合 AEC-Q101 标准，表明其适用于汽车应用。其沟槽 MOSFET 技术使其在功率效率和热管理方面的性能优于传统 MOSFET。

• 漏源电压 (VDS)： 最大 60V
• 栅源电压 (VGS)： ±20V
• 漏极电流 (ID)： 2.1A @ VGS = 10V, 25°C
• 漏源导通电阻 (RDSon)： 96 至 123mΩ @ VGS = 10V, ID = 2.1A, 25°C
• 总栅极电荷 (QG(tot))： 5.9 至 7.4nC
• ESD 保护： >2kV HBM

• 继电器驱动器
• 高速线路驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

N 沟道 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，广泛用于电子电路中以切换和放大信号。它们通过使用电场来控制源极和漏极端子之间的电流流动。N 沟道名称是指使用带负电的电子作为载流子。

选择 N 沟道 MOSFET 时，应考虑几个关键参数，包括漏源电压、栅源电压、漏极电流和导通电阻。这些参数决定了 MOSFET 处理电压和电流水平的能力，以及其效率和热性能。

MOSFET 是电源管理、负载驱动和信号开关应用中的重要元件。其快速的开关速度、高效率以及处理大功率的能力使其适用于从消费电子产品到汽车系统的广泛应用。

PMV120ENEA 中使用的沟槽 MOSFET 技术通过降低导通电阻和增强热特性提供了改进的性能，从而实现更高效的电力使用并减少热量产生。该技术在需要高功率密度和效率的应用中特别有益。