BSS138BKVL: N沟道槽式MOSFET，60V，360mA，SOT23封装

NXP Semiconductors

NXP半导体的BSS138BKVL是一种N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术。它封装在一个小型的SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中，为设计提供了紧凑的占地面积，适用于空间有限的设计。该组件设计为逻辑电平兼容，便于轻松集成到数字电路中。

BSS138BKVL的关键特性包括非常快的切换能力和内置静电放电（ESD）保护，高达1.5 kV，保护设备在处理和操作期间的安全。该元件采用的沟槽MOSFET技术提供了传统MOSFET无法比拟的性能特点，如更低的导通电阻和减少的栅极电荷，这有助于应用中的高效率。

• 漏源电压 (VDS)： 60 V
• 栅源电压 (VGS)： ±20 V
• 漏电流 (ID)： 在 VGS = 10 V, Tamb = 25°C 时为 360 mA
• 漏源导通电阻 (RDSon)： 在 VGS = 10 V, ID = 350 mA 时为 1 至 1.6 Ω
• 总功耗 (Ptot)： 在 Tamb = 25°C 时为 350 mW
• 结温 (Tj)： -55 至 150 °C

• 继电器驱动器
• 低侧负载开关
• 高速线驱动器
• 开关电路

N沟道MOSFET是一种在电子电路中广泛用于开关和放大目的的场效应晶体管（FET）。它们通过使用电场来控制从漏极到源极之间的电流流动。N沟道指的是通过设备流动的电荷载体（电子）的类型。

在为特定应用选择N沟道MOSFET时，工程师应考虑诸如漏源电压、栅源电压、漏电流、导通电阻和功耗等参数。这些参数决定了MOSFET处理所需的电压和电流水平的能力，以及其效率和热性能。

N沟道MOSFET通常用于需要高效能源管理的应用，如电源供应、电机控制器和开关电路。它们能够在开和关状态之间快速切换，几乎不损失功率，使其成为高速和高效应用的理想选择。此外，集成的特性如ESD保护和逻辑电平兼容性可以简化电路设计并提高可靠性。