BSS138BKVL: N 沟道沟槽 MOSFET，60V，360mA，SOT23 封装

NXP Semiconductors

NXP Semiconductors 的 BSS138BKVL 是一款采用 Trench MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)。它封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中，为空间受限的设计提供了紧凑的占地面积。该元件设计为逻辑电平兼容，便于集成到数字电路中。

BSS138BKVL 的主要特性包括极快的开关能力和高达 1.5 kV 的内置静电放电 (ESD) 保护，可在处理和操作过程中保护器件。该组件采用的沟槽 MOSFET 技术提供了优于传统 MOSFET 的性能特征，例如更低的导通电阻和更低的栅极电荷，这有助于提高应用效率。

• 漏源电压 (VDS): 60 V
• 栅源电压 (VGS): ±20 V
• 漏极电流 (ID): 360 mA (VGS = 10 V, Tamb = 25°C)
• 漏源导通电阻 (RDSon): 1 至 1.6 Ω (VGS = 10 V, ID = 350 mA)
• 总功耗 (Ptot): 350 mW (Tamb = 25°C)
• 结温 (Tj): -55 至 150 °C

• 继电器驱动器
• 低侧负载开关
• 高速线路驱动器
• 开关电路

N 沟道 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，广泛用于电子电路中的开关和放大目的。它们通过使用电场来控制漏极和源极端子之间的电流流动。N 沟道是指流经器件的电荷载流子（电子）的类型。

在为特定应用选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师应考虑漏源电压、栅源电压、漏极电流、导通电阻和功耗等参数。这些参数决定了 MOSFET 处理所需电压和电流水平的能力，以及其效率和热性能。

N 沟道 MOSFET 通常用于需要高效电源管理的应用，例如电源、电机控制器和开关电路。它们能够以最小的功率损耗在开启和关闭状态之间快速切换，使其成为高速和高效应用的理想选择。此外，集成 ESD 保护和逻辑电平兼容性等功能可以简化电路设计并提高可靠性。