BSS138BK: 60V,360mA N沟道沟槽MOSFET,SOT23封装
Nexperia

Nexperia BSS138BK是一款N沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,封装在小型SOT23(TO-236AB)表面贴装(SMD)塑料封装中。该元件旨在提供高效的电源控制和开关能力,具有高达60V的漏源电压和高达360mA的连续漏电流。

BSS138BK的关键特性包括逻辑级兼容性,提供在各种电路设计中的易用性,以及高达1.5 kV的ESD保护,确保在敏感应用中的可靠性和耐用性。其非常快的开关能力使其适用于高速开关应用。此外,它是AEC-Q101合格的,表明其适用于汽车应用。

关键规格和特性

  • 漏源电压(VDS):60V
  • 栅源电压(VGS):±20V
  • 漏电流(ID):VGS=10V,25°C时360mA
  • 漏源导通电阻(RDSon):VGS=10V,ID=350mA时1至1.6Ω
  • 总功耗(Ptot):25°C时350mW
  • 结温(Tj):-55至150°C
  • ESD保护:高达1.5kV

BSS138BK 数据手册

BSS138BK 数据表(PDF)

BSS138BK替代品
可作为BSS138BK替代的等效备选元件,按照受欢迎程度排序

应用

  • 继电器驱动器
  • 低侧负载开关
  • 高速线驱动器
  • 开关电路

类别

MOSFET

常规信息

MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种FET,设计用于放大或切换电子信号。它们因其高效率、可靠性和处理显著功率水平的能力而广泛用于电子设备中。N沟道MOSFET,如BSS138BK,以电子作为载流子,通常用于高速切换应用。

在选择MOSFET时,关键参数如漏源电压、栅源电压、漏电流和功耗需要考虑,以确保元件满足电路要求。此外,封装类型和热特性是影响MOSFET性能和适用性的重要因素。

MOSFET在各种应用中不可或缺,从便携设备的电源管理到汽车系统中的电机控制。它们在有效开关和控制电源方面的能力使它们成为现代电子设计中的基本组件。了解您的应用的具体要求,包括所需的电压和电流水平以及所需的开关速度,将指导选择合适的MOSFET。

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