BSS138BK: 60 V，360 mA N 沟道沟槽 MOSFET，SOT23 封装

Nexperia

Nexperia BSS138BK 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。该元件旨在提供高效的功率控制和开关能力，漏源电压高达 60 V，连续漏极电流高达 360 mA。

BSS138BK 的主要特性包括逻辑电平兼容性，便于在各种电路设计中使用，以及高达 1.5 kV 的 ESD 保护，确保在敏感应用中的可靠性和耐用性。其极快的开关能力使其适用于高速开关应用。此外，它通过了 AEC-Q101 认证，表明其适用于汽车应用。

• 漏源电压 (VDS): 60 V
• 栅源电压 (VGS): ±20 V
• 漏极电流 (ID): 360 mA @ VGS = 10 V, 25°C
• 漏源导通电阻 (RDSon): 1 至 1.6 Ω @ VGS = 10 V, ID = 350 mA
• 总功耗 (Ptot): 350 mW @ 25°C
• 结温 (Tj): -55 至 150 °C
• ESD 保护: 高达 1.5 kV

• 继电器驱动器
• 低侧负载开关
• 高速线路驱动器
• 开关电路

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于放大或开关电子信号的 FET。由于其高效率、可靠性和处理大功率水平的能力，它们被广泛用于电子设备中。N 沟道 MOSFET，如 BSS138BK，以电子作为载流子，通常用于高速开关应用。

为特定应用选择 MOSFET 时，需要考虑漏源电压、栅源电压、漏极电流和功耗等关键参数，以确保组件满足电路要求。此外，封装类型和热特性是影响 MOSFET 性能及其对预期应用适用性的重要因素。

MOSFET 是各种应用中不可或缺的组成部分，从便携式设备中的电源管理到汽车系统中的电机控制。它们高效切换和控制电源的能力使其成为现代电子设计中的重要组件。了解您应用的具体要求（包括必要的电压和电流水平以及所需的开关速度）将指导您选择合适的 MOSFET。