2N7002LT3G 是 onsemi 推出的 N 沟道 MOSFET，专为小信号应用而设计，采用紧凑的 SOT-23 封装。该元件提供 60V 的漏源电压 (VDSS) 和 115mA 的最大漏极电流 (ID)，使其适用于各种低功耗应用。其特点是低导通电阻和高速开关能力。该器件符合 AEC-Q101 标准，适合汽车应用，并且无铅、无卤素/无 BFR，符合 RoHS 标准，体现了 onsemi 对环境可持续性的承诺。
该 MOSFET 的最大 RDS(on) 在 10V 时为 7.5Ω，表明其在导通电流时功率损耗极小，效率很高。它还支持高达 800mA 的脉冲漏极电流 (IDM)，允许瞬态大电流操作。该器件的热特性确保了可靠的运行，最大结温为 150°C。其动态特性包括 50pF 的输入电容 (Ciss)，使其在高速开关应用中具有响应性。
MOSFET
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于放大或开关电子信号的晶体管。它们的特点是栅极、漏极和源极端子。N 沟道 MOSFET（如 2N7002LT3G）在相对于源极向栅极施加正电压时导通电流，使其适用于各种开关应用。
在为特定应用选择 MOSFET 时，工程师会考虑漏源电压 (VDSS)、漏极电流 (ID)、栅源电压 (VGS) 和静态漏源导通电阻 (RDS(on)) 等参数。这些参数决定了 MOSFET 处理电压和电流的能力、效率以及是否适合高速开关应用。热特性也很重要，因为它们会影响器件在不同工作条件下的可靠性和寿命。
MOSFET 广泛用于电源管理电路、电机控制系统以及各种电子设备中的负载开关。它们能够快速高效地开关，使其在降低电子系统的功耗和发热方面非常有价值。此外，N 沟道和 P 沟道 MOSFET 之间的选择取决于电路的具体要求，包括电流流向和被驱动负载的类型。
总的来说，选择 MOSFET 需要仔细分析其电气特性、热性能以及应用的具体要求。可靠性、效率以及符合环境标准也是选择过程中的关键考虑因素。