2N7002ET7G: N 沟道 MOSFET，60V，310mA，SOT-23，低 RDS(on)

onsemi

2N7002ET7G 是 onsemi 推出的一款 N 沟道 MOSFET，专为高效电源管理和开关应用而设计。它具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 310mA 的最大连续漏极电流 (ID)，使其适用于各种低功耗应用。该组件利用沟槽技术在 10V 时实现 2.5Ω 的低导通电阻 (RDS(on)) 值，在 4.5V 时实现 3.0Ω，确保高效运行并降低功耗。

其紧凑的 SOT-23 封装针对表面贴装技术进行了优化，允许高密度 PCB 布局。2N7002ET7G 符合 AEC-Q101 标准且具有 PPAP 能力，表明其可靠性和适用于汽车应用。此外，它是无铅、无卤素/无 BFR 且符合 RoHS 标准的，使其成为电子设计的环保选择。

• 漏源电压 (VDS): 60V
• 连续漏极电流 (ID): 310mA
• 导通电阻 (RDS(on)): 2.5Ω (10V时), 3.0Ω (4.5V时)
• 栅源电压 (VGS): ±20V
• 功耗: 300mW (稳态), 420mW (<5s)
• 工作结温范围: -55°C 至 +150°C
• 封装: SOT-23

• 低侧负载开关
• 电平转换电路
• DC-DC 转换器
• 便携式应用（例如数码相机、PDA、手机）

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于放大或开关电子信号的晶体管。由于其高效率和快速开关能力，它们是各种电子设备中的重要组件。N 沟道 MOSFET（例如 2N7002ET7G）通常用于需要通过施加到栅极端子的电压来控制负载电流的应用中。

在为特定应用选择 MOSFET 时，需要考虑几个重要参数，包括漏源电压 (VDS)、栅源电压 (VGS)、连续漏极电流 (ID) 和导通电阻 (RDS(on))。这些参数决定了 MOSFET 处理所需功率水平的能力及其在电路中的效率。

封装类型在元器件性能方面也起着重要作用，特别是在热管理和 PCB 占位方面。对于要求高可靠性的应用（如汽车或工业），考虑元器件是否符合行业标准和资格认证也很重要。

总体而言，MOSFET 的选择将显着影响其所用电子设备的性能、效率和可靠性。因此，彻底了解元件的规格以及它们如何符合应用要求对于优化设计至关重要。