2N7002ET7G: N沟道MOSFET，60V，310mA，SOT-23，低RDS(on)

onsemi

2N7002ET7G是onsemi生产的N沟道MOSFET，专为高效电源管理和开关应用而设计。它具有60V的漏源电压（VDS）和310mA的最大连续漏电流（ID），适用于各种低功耗应用。该元件采用沟槽技术实现了在10V时2.5Ω、在4.5V时3.0Ω的低导通电阻（RDS(on)），确保了高效运行和降低功耗。

其紧凑的SOT-23封装针对表面贴装技术进行了优化，允许进行高密度的PCB布局。2N7002ET7G符合AEC-Q101标准并且具有PPAP能力，表明其适用于汽车应用的可靠性。此外，它是无铅、无卤素/BFR免费，并且符合RoHS标准，使其成为电子设计中的环保选择。

• 漏极-源极电压 (VDS)：60V
• 持续漏电流 (ID)：310mA
• 导通电阻 (RDS(on))：在 10V 下为 2.5Ω，在 4.5V 下为 3.0Ω
• 栅极-源极电压 (VGS)：±20V
• 功耗：稳态 300mW，<5s 为 420mW
• 工作结温范围：-55°C 至 +150°C
• 封装：SOT-23

• 低侧负载开关
• 电平转换电路
• DC-DC转换器
• 便携式应用（例如，数码相机、PDA、手机）

MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种用于放大或切换电子信号的晶体管。由于其高效率和快速切换能力，它们是广泛应用于电子设备中的关键组件。N沟道MOSFET，如2N7002ET7G，通常用于需要通过栅极电压控制负载电流的应用。

在选择特定应用的MOSFET时，需要考虑几个重要参数，包括漏源电压（VDS）、栅源电压（VGS）、连续漏电流（ID）和导通电阻（RDS(on)）。这些参数决定了MOSFET处理所需功率水平的能力及其在电路中的效率。

封装类型在元件性能中也扮演着重要角色，特别是在热管理和PCB上的占地面积方面。对于需要高可靠性的应用，如汽车或工业，还应考虑元件符合行业标准和资质的重要性。

总的来说，MOSFET的选择将显著影响其用途的电子设备的性能、效率和可靠性。因此，对组件规格的深入理解以及它们如何与应用要求对齐对于最佳设计至关重要。