SQ2364EES-T1_GE3: Automobil-N-Kanal 60 V, 175 °C, SOT-23 MOSFET
Vishay

Der SQ2364EES-T1_GE3 von Vishay ist ein N-Kanal-MOSFET, der für Automobilanwendungen konzipiert wurde und in einem kompakten SOT-23-Gehäuse eingekapselt ist. Diese Komponente zeichnet sich durch ihre Fähigkeit aus, bei hohen Temperaturen bis zu 175 °C zu arbeiten, was sie für anspruchsvolle Umgebungen geeignet macht. Sie ist AEC-Q101 qualifiziert, was automobilgerechte Zuverlässigkeit und Leistung gewährleistet. Der MOSFET verfügt über TrenchFET®-Technologie, die verbesserte Effizienz und reduzierten Einschaltwiderstand bietet.

Zu den Schlüsselattributen gehören eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V und ein kontinuierlicher Drainstrom (ID) von 2 A bei 25 °C, mit der Fähigkeit, gepulste Drainströme bis zu 8 A zu handhaben. Es bietet auch robusten ESD-Schutz bis zu 800 V. Der niedrige Durchlasswiderstand (RDS(on)) bei verschiedenen Gate-Source-Spannungen hebt seine Effizienz in der Stromleitung hervor. Zusätzlich ist es zu 100% Rg und UIS getestet, was eine konsistente Leistung über alle Einheiten hinweg gewährleistet.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ± 8 V
  • Dauerhafter Drainstrom (ID) bei 25 °C: 2 A
  • Pulsierender Drainstrom (IDM): 8 A
  • RDS(on) bei VGS = 1,5 V: 0,245 Ω
  • Maximale Leistungsverlustleistung bei 25 °C: 3 W
  • Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht: -55 bis +175 °C
  • Gehäuse: SOT-23

SQ2364EES-T1_GE3 Datenblatt

SQ2364EES-T1_GE3 Datenblatt (PDF)

SQ2364EES-T1_GE3 Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für SQ2364EES-T1_GE3 dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Automobil-Elektronik
  • Energiemanagementsysteme
  • Hochtemperaturanwendungen

Kategorie

MOSFET

Allgemeine Informationen

MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sind eine Art von Transistor, die zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet werden. Sie werden aufgrund ihrer hohen Effizienz, Zuverlässigkeit und der Fähigkeit, signifikante Leistungspegel zu handhaben, weit verbreitet in elektronischen Geräten eingesetzt. N-Kanal-MOSFETs werden insbesondere wegen ihrer hohen Elektronenmobilität und der einfachen Integration in verschiedene Schaltungen bevorzugt.

Bei der Auswahl eines MOSFET für eine spezifische Anwendung sollten mehrere Faktoren berücksichtigt werden, einschließlich der Drain-Source-Spannung (VDS), der Gate-Source-Spannung (VGS), des kontinuierlichen Drain-Stroms (ID) und des Einschaltwiderstands (RDS(on)). Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFET, die erforderlichen Leistungslevel zu bewältigen und seine Effizienz im Schaltkreis. Auch der Gehäusetyp spielt eine entscheidende Rolle bei der Wärmeableitung des Geräts.

MOSFETs sind integraler Bestandteil von Stromumwandlungs- und -verwaltungssystemen und bieten Lösungen für eine effiziente Stromverteilung. Sie sind besonders wertvoll in Anwendungen, die schnelles Schalten, geringen Stromverbrauch und kompakte Größe erfordern. Automobilanwendungen verlangen oft nach MOSFETs, die zuverlässig unter harten Bedingungen arbeiten können, einschließlich hoher Temperaturen und Spannungen.

Der SQ2364EES-T1_GE3 MOSFET von Vishay, mit seiner hohen Temperaturtoleranz und Automobilqualifikation, veranschaulicht die Fortschritte in der MOSFET-Technologie, die den strengen Anforderungen der Automobil-Elektronik und Energiemanagementsysteme gerecht wird.

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