Der 2N7002BK von Nexperia ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (FET), der Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Er ist in einem kompakten SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse verpackt und für Logikpegelanwendungen mit sehr schnellen Schaltfähigkeiten konzipiert. Das Bauteil ist mit einem ESD-Schutz bis zu 2 kV ausgestattet und gewährleistet robuste Leistung in verschiedenen Anwendungen.
Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V und einen Drain-Strom (ID) von 350 mA bei 25°C aus, mit einer Gate-Source-Spannung (VGS) von ±20 V. Der Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDSon) wird zwischen 1 und 1,6 Ω bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V und einem Drain-Strom von 500 mA angegeben. Seine thermischen Eigenschaften und dynamischen Parameter, einschließlich der gesamten Gate-Ladung und der Ein-/Ausgangskapazität, sind für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen optimiert.
MOSFET
N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die überwiegend für Schalt- und Verstärkungszwecke elektronischer Signale in verschiedenen Arten von elektronischen Geräten verwendet werden. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld nutzen, um den Stromfluss zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu steuern. N-Kanal bezieht sich auf die Art der Ladungsträger (Elektronen), die durch das Gerät fließen.
Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sollten Ingenieure Parameter wie Drain-Source-Spannung (VDS), Drain-Strom (ID), Gate-Source-Spannung (VGS) und den Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon) berücksichtigen. Weitere wichtige Faktoren sind die Leistungsabgabe-Fähigkeiten des Bauteils, thermischer Widerstand und jegliche Schutzfunktionen wie ESD-Schutz.
MOSFETs sind integraler Bestandteil beim Entwurf von Stromversorgungsschaltungen, Motorsteuerungsschaltungen und als Schalter in verschiedenen elektronischen Geräten. Ihre Fähigkeit, schnell zu schalten, macht sie geeignet für Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzanwendungen. Die Wahl der Verpackung (z.B. SOT23) ist ebenfalls entscheidend und beeinflusst das Wärmemanagement und den Gesamtfußabdruck der Komponente in einem Schaltungsentwurf.
Insgesamt sollte die Auswahl eines N-Kanal-MOSFET von den spezifischen Anforderungen der Anwendung geleitet werden, einschließlich der Betriebsspannungs- und Strompegel, der Schaltgeschwindigkeit, der thermischen Überlegungen und der Verpackungsbeschränkungen.