Der 2N7002BK von Nexperia ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Er ist in einem kompakten SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse verpackt, das für Logikpegelanwendungen mit sehr schnellen Schaltfähigkeiten ausgelegt ist. Die Komponente ist mit einem ESD-Schutz bis zu 2 kV ausgestattet, was eine robuste Leistung in verschiedenen Anwendungen gewährleistet.
Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V und einen Drain-Strom (ID) von 350 mA bei 25°C aus, mit einer Gate-Source-Spannung (VGS) von ±20 V. Der Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon) ist zwischen 1 und 1,6 Ω bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V und einem Drain-Strom von 500 mA spezifiziert. Seine thermischen Eigenschaften und dynamischen Parameter, einschließlich der gesamten Gate-Ladung und der Eingangs-/Ausgangskapazität, sind für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen optimiert.
MOSFET
N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistoren (FET), die vorwiegend zum Schalten und Verstärken elektronischer Signale in verschiedenen Arten von elektronischen Geräten verwendet werden. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld nutzen, um den Stromfluss zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu steuern. N-Kanal bezieht sich auf die Art der Ladungsträger (Elektronen), die durch das Bauteil fließen.
Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sollten Ingenieure Parameter wie Drain-Source-Spannung (VDS), Drain-Strom (ID), Gate-Source-Spannung (VGS) und den Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon) berücksichtigen. Weitere wichtige Faktoren sind die Verlustleistungsfähigkeit des Geräts, der thermische Widerstand und etwaige Schutzfunktionen wie ESD-Schutz.
MOSFETs sind ein integraler Bestandteil beim Design von Stromversorgungsschaltungen, Motorsteuerungsschaltungen und als Schalter in verschiedenen elektronischen Geräten. Ihre Fähigkeit, schnell zu schalten, macht sie für Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzanwendungen geeignet. Die Wahl des Gehäuses (z. B. SOT23) ist ebenfalls entscheidend, da sie das Wärmemanagement und den gesamten Platzbedarf des Bauteils im Schaltungsdesign beeinflusst.
Insgesamt sollte sich die Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs an den spezifischen Anforderungen der Anwendung orientieren, einschließlich der Betriebsspannung und Stromstärken, der Schaltgeschwindigkeit, thermischer Überlegungen und Gehäusebeschränkungen.