Der 2N7002KT1G von onsemi ist ein kleinsignal N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Anwendungen konzipiert wurde. Verpackt in einem kompakten SOT-23-Formfaktor, unterstützt dieser MOSFET eine Drain-Source-Spannung (VDSS) von bis zu 60V und einen maximalen Drainstrom (ID) von 380mA. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der zwischen 1,6Ω bei 10V und 2,5Ω bei 4,5V variiert und so die Gesamteffizienz des Bauteils in Schaltungsentwürfen verbessert.
Dieses Bauteil ist mit einem Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) konzipiert, was Zuverlässigkeit und Langlebigkeit in sensiblen Anwendungen gewährleistet. Sein niedriger RDS(on) trägt zur Reduzierung der Leistungsverluste bei, was es für Anwendungen geeignet macht, bei denen Energieeffizienz entscheidend ist. Der 2N7002KT1G ist AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig, was ihn für Automobilanwendungen und andere Szenarien geeignet macht, die strenge Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards erfordern.
MOSFET
MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sind ein grundlegendes Bauteil in elektronischen Schaltungen und fungieren als Schalter oder Verstärker. Sie werden aufgrund ihrer hohen Effizienz, schnellen Schaltgeschwindigkeiten und einfachen Integration in verschiedene Schaltungsentwürfe bevorzugt. N-Kanal-MOSFETs werden insbesondere in Anwendungen zur Leistungsumwandlung und -verwaltung aufgrund ihrer Fähigkeit, signifikante Leistungsniveaus effizient zu handhaben, weit verbreitet eingesetzt.
Bei der Auswahl eines MOSFETs für eine spezifische Anwendung berücksichtigen Ingenieure Parameter wie die Drain-zu-Source-Spannung (VDSS), den Drainstrom (ID) und den Einschaltwiderstand (RDS(on)). Der VDSS-Parameter gibt die maximale Spannung an, die der MOSFET im ausgeschalteten Zustand blockieren kann, während der ID-Parameter die maximale Stromstärke angibt, die er im eingeschalteten Zustand bewältigen kann. Der RDS(on)-Wert ist entscheidend für die Bewertung der Leistungsverluste während des Betriebs, wobei niedrigere Werte eine höhere Effizienz anzeigen.
Neben diesen Parametern sind auch der Gehäusetyp und die thermischen Eigenschaften wichtige Überlegungen, da sie die Fähigkeit des MOSFET beeinflussen, Wärme abzuleiten und die Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen aufrechtzuerhalten. Schutzfunktionen wie ESD-Widerstand sind ebenfalls entscheidend für die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit des Bauteils in empfindlichen Anwendungen.
Der 2N7002KT1G MOSFET von onsemi ist ein Beispiel für diese Überlegungen und bietet eine Balance aus Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit für eine breite Palette von Anwendungen, einschließlich Automobil- und tragbaren Geräten.