2N7002L: N-Kanal MOSFET, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

Der 2N7002L ist ein N-Kanal-MOSFET, der mit der hochzellendichten DMOS-Technologie von onsemi produziert wird. Dieses Bauteil ist darauf ausgelegt, einen niedrigen Einschaltwiderstand zu bieten und gleichzeitig robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung zu gewährleisten. Es ist besonders geeignet für Niederspannungs-, Niedrigstromanwendungen und stellt damit eine vielseitige Wahl für verschiedene elektronische Schaltungen dar.

Durch ein hochdichtes Zellendesign erreicht der 2N7002L einen niedrigen RDS(on), was ihn zu einer effizienten Wahl für Aufgaben im Energiemanagement macht. Seine Fähigkeit, als spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter zu fungieren, erhöht seine Flexibilität im Schaltungsentwurf. Die hohe Sättigungsstromfähigkeit und Robustheit des Bauteils machen es zu einer zuverlässigen Option für anspruchsvolle Umgebungen.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDSS): 60 V
  • Gate-Source-Spannung (VGSS): ±20 V, nicht wiederholbar (tp < 50 ms) ±40 V
  • Maximaler Drain-Strom (ID): 200 mA kontinuierlich, 500 mA gepulst
  • Maximale Leistungsabgabe (PD): 400 mW, abgeleitet über 25°C
  • Thermischer Widerstand, Übergang zu Umgebung (RθJA): 625 °C/W
  • Gate-Schwellenspannung (VGS(th)): 1 bis 2,5 V
  • Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)): 1,2 bis 7,5 Ω
  • Drain-Source-Einschaltspannung (VDS(on)): 0,6 bis 3,75 V

2N7002L Datenblatt

2N7002L Datenblatt (PDF)

2N7002L Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für 2N7002L dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Steuerung kleiner Servomotoren
  • Treiber für Power-MOSFETs
  • Verschiedene Schaltanwendungen

Kategorie

Transistor

Allgemeine Informationen

N-Kanal-MOSFETs wie der 2N7002L sind grundlegende Komponenten im elektronischen Design und bieten eine Möglichkeit, die Stromverteilung in Schaltungen effizient zu steuern. Diese Transistoren funktionieren, indem sie den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Terminals ermöglichen, wenn eine Spannung an das Gate-Terminal angelegt wird, was sie ideal für das Schalten und Verstärken von Signalen macht.

Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFET sind wichtige Überlegungen die Drain-Source-Spannung, Gate-Source-Spannung, maximaler Drain-Strom und Leistungsverlustfähigkeiten. Die thermischen Eigenschaften sind ebenfalls entscheidend, da sie die Zuverlässigkeit und Leistung des Geräts unter verschiedenen Betriebsbedingungen beeinflussen.

Der niedrige Durchlasswiderstand des 2N7002L ist vorteilhaft für die Reduzierung von Leistungsverlusten und die Verbesserung der Effizienz in Anwendungen. Sein kompaktes SOT-23-Gehäuse eignet sich für platzbeschränkte Entwürfe. Ingenieure sollten auch die Schaltgeschwindigkeit, Gate-Ladung und Kapazitätseigenschaften berücksichtigen, um die Kompatibilität mit den Anforderungen ihres Schaltkreises sicherzustellen.

Zusammenfassend bietet der 2N7002L eine Balance aus Leistung, Zuverlässigkeit und Effizienz, was ihn zu einer geeigneten Wahl für eine breite Palette von Niederspannungs-, Niedrigstromanwendungen macht. Das Verständnis seiner Spezifikationen und wie sie mit den Anforderungen der beabsichtigten Anwendung übereinstimmen, ist der Schlüssel zur Auswahl.

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