Der 2N7002K-T1-GE3 ist ein N-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix, der für schnelle Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet bei einer Drain-Source-Spannung (VDS) von 60V mit einem maximalen Drain-Strom (ID) von 0,3A. Das Gerät verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 2 Ohm bei VGS von 10V, was zu seiner Effizienz im Schaltungsbetrieb beiträgt. Darüber hinaus verfügt er über eine niedrige Schwellenspannung von 2V (typisch) und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit von 25ns, was seine Leistung in Hochgeschwindigkeitsschaltungen verbessert.
Dieser MOSFET ist in einem kompakten SOT-23 (TO-236) Gehäuse untergebracht, was ihn für platzbeschränkte Anwendungen geeignet macht. Er bietet zudem geringe Eingangs- und Ausgangsleckströme, eine niedrige Eingangskapazität von 25pF und ist mit einem 2000V ESD-Schutz ausgestattet, was Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen gewährleistet. Der 2N7002K-T1-GE3 ist für Anwendungen konzipiert, die schnelles Schalten und Niederspannungsbetrieb erfordern, was ihn zu einer idealen Wahl für direkte Logikpegel-Schnittstellen, Treiber, batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais macht.
MOSFET
N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die in elektronischen Schaltungen häufig zum Schalten und Verstärken von Signalen verwendet werden. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld verwenden, um die Leitfähigkeit eines Kanals in einem Halbleitermaterial zu steuern. N-Kanal-MOSFETs sind besonders für ihre hohe Effizienz und schnellen Schaltfähigkeiten bekannt.
Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sollten mehrere Schlüsselparameter berücksichtigt werden, darunter die Drain-Source-Spannung (VDS), die Gate-Source-Spannung (VGS), der kontinuierliche Drain-Strom (ID) und der Einschaltwiderstand (RDS(on)). Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des Geräts, Spannung und Strom in bestimmten Anwendungen zu handhaben. Zusätzlich ist die Schaltgeschwindigkeit, dargestellt durch die Ein- und Ausschaltzeiten, entscheidend für Anwendungen, die schnelles Schalten erfordern.
Die Schwellenspannung (VGS(th)) ist ein weiterer wichtiger Faktor, der die minimale Gate-Source-Spannung angibt, die erforderlich ist, um das Gerät einzuschalten. Niedrigere Schwellenspannungen können in Niederspannungsanwendungen vorteilhaft sein. Eingangs- und Ausgangskapazitäten beeinflussen die Schaltgeschwindigkeit und den Stromverbrauch während der Schaltvorgänge.
N-Kanal-MOSFETs werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von der Energieverwaltung und -umwandlung bis hin zur Signalverarbeitung und Hochgeschwindigkeits-Schaltkreisen. Ihre Vielseitigkeit und Effizienz machen sie zu wesentlichen Komponenten im modernen Elektronikdesign.