Der 2N7002K-T1-GE3 ist ein N-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix, der für schnelle Schaltanwendungen konzipiert wurde. Er arbeitet bei einer Drain-Source-Spannung (VDS) von 60V, mit einem maximalen Drain-Strom (ID) von 0,3A. Das Gerät zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 2 Ohm bei VGS von 10V aus, was zur Effizienz im Schaltungsbetrieb beiträgt. Zusätzlich bietet es eine niedrige Schwellenspannung von 2V (typisch) und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit von 25ns, was seine Leistung in Hochgeschwindigkeitsschaltungen verbessert.
Dieser MOSFET ist in einem kompakten SOT-23 (TO-236)-Gehäuse eingekapselt, was ihn für platzbeschränkte Anwendungen geeignet macht. Er bietet auch eine geringe Eingangs- und Ausgangsleckage, eine niedrige Eingangskapazität von 25pF und ist mit einem 2000V ESD-Schutz ausgestattet, was die Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen gewährleistet. Der 2N7002K-T1-GE3 ist für Anwendungen konzipiert, die Hochgeschwindigkeitsschaltung und Niederspannungsbetrieb erfordern, und ist daher eine ideale Wahl für direkte Logikpegelschnittstellen, Treiber, batteriebetriebene Systeme und Festkörperrelais.
MOSFET
N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die in elektronischen Schaltungen weit verbreitet sind für das Schalten und Verstärken von Signalen. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld verwenden, um die Leitfähigkeit eines Kanals in einem Halbleitermaterial zu steuern. N-Kanal-MOSFETs sind besonders für ihre hohe Effizienz und schnellen Schaltfähigkeiten bekannt.
Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFET sollten mehrere Schlüsselparameter berücksichtigt werden, einschließlich der Drain-Source-Spannung (VDS), der Gate-Source-Spannung (VGS), des kontinuierlichen Drain-Stroms (ID) und des Durchlasswiderstands (RDS(on)). Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des Geräts, Spannung und Strom in spezifischen Anwendungen zu handhaben. Zusätzlich ist die Schaltgeschwindigkeit, repräsentiert durch die Ein- und Ausschaltzeiten, kritisch für Anwendungen, die schnelles Schalten erfordern.
Die Schwellenspannung (VGS(th)) ist ein weiterer wichtiger Faktor, der die minimale Gate-Source-Spannung angibt, die erforderlich ist, um das Gerät einzuschalten. Niedrigere Schwellenspannungen können in Niederspannungsanwendungen vorteilhaft sein. Eingangs- und Ausgangskapazitäten beeinflussen die Schaltgeschwindigkeit und den Stromverbrauch während Schaltvorgängen.
N-Kanal MOSFETs werden in einer breiten Palette von Anwendungen eingesetzt, von der Leistungsverwaltung und -umwandlung bis hin zur Signalverarbeitung und Hochgeschwindigkeitsschaltung. Ihre Vielseitigkeit und Effizienz machen sie zu unverzichtbaren Komponenten im modernen elektronischen Design.