Der 2N7002P,235 von Nexperia ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET), der Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Verpackt in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse, bietet er eine kompakte Lösung für verschiedene Anwendungen. Dieses Bauteil ist unter anderem für den Einsatz als Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Relaistreiber, Low-Side-Lastschalter und in Schaltkreisen konzipiert.
Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V, einen Gate-Source-Spannungsbereich (VGS) von -20 bis 20 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom (ID) von bis zu 360 mA bei 25°C. Das Gerät zeichnet sich durch seine schnellen Schaltfähigkeiten und Logikpegel-Kompatibilität aus, was es für eine breite Palette elektronischer Schaltungen geeignet macht. Der 2N7002P,235 ist außerdem AEC-Q101 qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen anzeigt.
Transistor
N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die in elektronischen Schaltungen weit verbreitet zum Schalten und Verstärken von Signalen verwendet werden. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld verwenden, um den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen zu steuern, der durch die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung moduliert wird. N-Kanal bezieht sich auf die Art der Ladungsträger (Elektronen), die den Strom im Bauteil leiten.
Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sollten mehrere Schlüsselparameter berücksichtigt werden, darunter die Drain-Source-Spannung (VDS), die Gate-Source-Spannung (VGS) und der Drain-Strom (ID). Diese Parameter bestimmen die Leistungsfähigkeit und Effizienz des MOSFETs in einer Schaltung. Der Einschaltwiderstand (RDSon) ist ebenfalls ein wichtiger Faktor, da er den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung beeinflusst, wenn der MOSFET leitet.
Anwendungen von N-Kanal-MOSFETs sind vielfältig und reichen vom Energiemanagement in tragbaren Geräten bis zur Ansteuerung von Motoren in industriellen Anwendungen. Ihre schnellen Schaltfähigkeiten machen sie für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen geeignet, wie z. B. in Stromrichtern und Wechselrichtern.
Ingenieure sollten auch die thermischen Eigenschaften des MOSFETs berücksichtigen, einschließlich des Wärmewiderstands und der maximalen Sperrschichttemperatur, um einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Gehäuseoptionen wie das SOT23-Gehäuse bieten eine kompakte Lösung für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot.