Der 2N7002P,235 von Nexperia ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (FET), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Verpackt in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse, bietet er eine kompakte Lösung für verschiedene Anwendungen. Dieses Bauteil ist konzipiert, um als Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Relaistreiber, Niedrigseiten-Lastschalter und in Schaltkreisen, unter anderem Anwendungen, zu fungieren.
Es zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V, einen Gate-Source-Spannungsbereich (VGS) von -20 bis 20 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom (ID) von bis zu 360 mA bei 25°C aus. Das Gerät ist durch seine schnellen Schaltfähigkeiten und Logikpegel-Kompatibilität gekennzeichnet, was es für eine breite Palette von elektronischen Schaltungen geeignet macht. Der 2N7002P,235 ist auch AEC-Q101 qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen anzeigt.
Transistor
N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die in elektronischen Schaltungen weit verbreitet sind, um Signale zu schalten und zu verstärken. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld verwenden, um den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen zu steuern, der durch die an das Gate angelegte Spannung moduliert wird. N-Kanal bezieht sich auf die Art der Ladungsträger (Elektronen), die den Strom im Gerät leiten.
Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sollten mehrere Schlüsselparameter berücksichtigt werden, einschließlich der Drain-Source-Spannung (VDS), der Gate-Source-Spannung (VGS) und des Drain-Stroms (ID). Diese Parameter bestimmen die Leistungsfähigkeit und Effizienz des MOSFETs in einer Schaltung. Der Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDSon) ist ebenfalls ein wichtiger Faktor, da er den Leistungsverlust und die Wärmeerzeugung beeinflusst, wenn der MOSFET leitet.
Anwendungen von N-Kanal-MOSFETs sind vielfältig, von der Energieverwaltung in tragbaren Geräten bis zum Antrieb von Motoren in industriellen Anwendungen. Ihre schnellen Schaltfähigkeiten machen sie geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, wie in Stromwandlern und Wechselrichtern.
Ingenieure sollten auch die thermischen Eigenschaften des MOSFET berücksichtigen, einschließlich des thermischen Widerstands und der maximalen Sperrschichttemperatur, um einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Verpackungsoptionen, wie das SOT23-Gehäuse, bieten eine kompakte Lösung für platzbeschränkte Anwendungen.