2N7002K: N-Kanal-MOSFET, 60V, 380mA, SOT-23, ESD-geschützt
onsemi

Der 2N7002K ist ein N-Kanal-MOSFET, der von onsemi entwickelt wurde und eine Drain-Source-Spannung (VDSS) von 60V sowie einen maximalen Drain-Strom (ID) von 380mA aufweist. Diese Komponente ist in einem kompakten SOT-23-Gehäuse untergebracht, was sie für Anwendungen der Oberflächenmontagetechnik (SMT) geeignet macht. Eines der Hauptmerkmale dieses MOSFETs ist sein ESD-Schutz, der seine Zuverlässigkeit in empfindlichen Anwendungen erhöht.

Der 2N7002K wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Schaltungen entwickelt und eignet sich hervorragend für Aufgaben wie Low-Side-Lastschalter, Pegelwandlerschaltungen und DC-DC-Wandler. Er ist auch gut geeignet für tragbare Anwendungen, einschließlich Digitalkameras, PDAs, Mobiltelefone und mehr. Das Bauteil ist AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig, was seine Eignung für Automobilanwendungen und andere Szenarien anzeigt, die strenge Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards erfordern.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDSS): 60V
  • Maximaler Drain-Strom (ID): 380mA bei 25°C
  • RDS(on): 1,6Ω bei 10V, 2,5Ω bei 4,5V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20V
  • Gepulster Drain-Strom (IDM): 5,0A
  • Verlustleistung: 420mW bei 1 Quadratzoll Pad, 300mW bei minimalem Pad
  • Betriebs- und Lagertemperaturbereich: -55°C bis +150°C
  • ESD-Schutz: 2000V

2N7002K Datenblatt

2N7002K Datenblatt (PDF)

2N7002K Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für 2N7002K dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Low-Side-Lastschalter
  • Pegelwandlerschaltungen
  • DC-DC-Wandler
  • Tragbare Anwendungen (z. B. Digitalkameras, PDAs, Mobiltelefone)

Kategorie

Transistoren

Allgemeine Informationen

N-Kanal-MOSFETs sind eine kritische Komponente in elektronischen Schaltungen und fungieren als Schalter oder Verstärker. Sie ermöglichen die Steuerung von Hochleistungsschaltungen mit einem Niederspannungssignal, was sie in der Energieverwaltung, Signalverarbeitung und Steuerungsanwendungen unverzichtbar macht. Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sind wichtige Überlegungen die Drain-Source-Spannung (VDSS), der Drain-Strom (ID), RDS(on) und der Gehäusetyp.

Der 2N7002K MOSFET von onsemi zeichnet sich durch sein kompaktes SOT-23-Gehäuse und den ESD-Schutz aus und bietet eine Mischung aus Leistung und Zuverlässigkeit. Sein niedriger RDS(on) sorgt für einen effizienten Betrieb, während der ESD-Schutz seine Haltbarkeit in empfindlichen Umgebungen erhöht. Dieser MOSFET eignet sich sowohl für Automobil- als auch für tragbare Geräteanwendungen und ist eine vielseitige Wahl für Ingenieure.

Bei der Auswahl eines MOSFETs sollten Ingenieure auch die thermischen Eigenschaften und die Verlustleistung berücksichtigen, um sicherzustellen, dass die Komponente innerhalb ihres sicheren Arbeitsbereichs (SOA) arbeitet. Die thermischen Eigenschaften des 2N7002K machen ihn für Anwendungen geeignet, bei denen der Platz begrenzt ist und das Wärmemanagement ein Anliegen ist.

Insgesamt stellt der 2N7002K eine zuverlässige, effiziente und vielseitige Option für eine breite Palette von Anwendungen dar, von Automobilsystemen bis hin zu tragbarer Elektronik, was ihn zu einer wertvollen Komponente im Werkzeugkasten des Ingenieurs macht.

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