Der BSS138BK von Nexperia ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (FET), der Trench-MOSFET-Technologie nutzt, um hohe Effizienz und Leistung in einem kompakten SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse zu bieten. Dieses Bauteil ist für Logikpegel-Kompatibilität ausgelegt, mit sehr schnellen Schaltfähigkeiten und Elektrostatischer Entladungsschutz (ESD) bis zu 1,5 kV, was es für eine breite Palette von Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen geeignet macht.
Wesentliche Merkmale umfassen eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60V, eine Gate-Source-Spannung (VGS) von ±20V und einen Drain-Strom (ID) von bis zu 360mA bei einer Umgebungstemperatur von 25°C. Der BSS138BK weist auch einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon) von 1 bis 1,6Ω bei VGS = 10V und ID = 350mA auf, was einen effizienten Betrieb gewährleistet. Seine thermischen Eigenschaften und robustes Design machen ihn zuverlässig für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen, einschließlich Relaistreibern, Lastschaltern auf der Niederspannungsseite, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreibern und Schaltkreisen.
Transistor
N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die in elektronischen Schaltungen weit verbreitet sind, um Signale zu schalten und zu verstärken. Sie funktionieren, indem sie eine Eingangsspannung verwenden, um den Stromfluss durch einen Kanal zu steuern. Die Bezeichnung N-Kanal bezieht sich auf die Art der Ladungsträger (Elektronen), die durch das Gerät fließen.
Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFET berücksichtigen Ingenieure Parameter wie die Drain-Source-Spannung (VDS), die Gate-Source-Spannung (VGS), den Drainstrom (ID) und den Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon). Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des Geräts, Spannung, Strom und Leistung effizient zu handhaben.
N-Kanal-MOSFETs werden aufgrund ihrer hohen Effizienz, schnellen Schaltgeschwindigkeiten und der Fähigkeit, signifikante Ströme zu treiben, bevorzugt. Sie finden Anwendung in einer Vielzahl von Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motorsteuerungen und elektronischen Schaltern. Wichtige Überlegungen bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs sind die spezifischen Anforderungen der Anwendung, das thermische Management und die Notwendigkeit von Schutzfunktionen wie ESD-Widerstand.
Der BSS138BK veranschaulicht die Verwendung der Trench-MOSFET-Technologie, die die Leistung durch Reduzierung des Einschaltwiderstands und Verbesserung der Schaltgeschwindigkeiten erhöht. Dies macht ihn geeignet für Anwendungen, die eine effiziente Energiemanagement und schnelle Schaltfähigkeiten erfordern.