PMV37ENER: 60V, N-Kanal Trench-MOSFET, SOT23, Logikpegel-kompatibel
Nexperia

Der PMV37ENER von Nexperia ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET), der für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Unter Verwendung fortschrittlicher Trench-MOSFET-Technologie bietet er überlegene Leistung in einem kompakten SOT23-Kunststoffgehäuse für die Oberflächenmontage (SMD). Diese Komponente zeichnet sich durch ihre Logikpegel-Kompatibilität aus, die es ermöglicht, sie direkt von Mikrocontroller-Ausgängen ohne zusätzliche Treiberschaltungen anzusteuern.

Das Gerät ist für den Betrieb über einen erweiterten Temperaturbereich ausgelegt, mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C, was Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen gewährleistet. Es umfasst auch einen Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD), der 2 kV HBM (Klasse H2) übersteigt, und schützt das Gerät während der Handhabung und des Betriebs. Mit seinem niedrigen Einschaltwiderstand und der hohen Strombelastbarkeit eignet sich der PMV37ENER für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Relaistreiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und verschiedene Schaltkreise.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Drain-Strom (ID): 3,5 A bei VGS = 10 V, Tamb = 25 °C
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon): 37 bis 49 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 3,5 A
  • Erweiterter Temperaturbereich: Tj = 175 °C
  • ESD-Schutz: > 2 kV HBM (Klasse H2)
  • Gehäuse: SOT23

PMV37ENER Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für PMV37ENER dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Relaistreiber
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Low-Side-Lastschalter
  • Schaltkreise

Kategorie

Transistor

Allgemeine Informationen

Feldeffekttransistoren (FETs) sind Halbleiterbauelemente, die häufig zum Schalten und Verstärken elektronischer Signale in verschiedenen Anwendungen eingesetzt werden. N-Kanal-MOSFETs, wie der PMV37ENER, sind eine Art von FET, die Strom fließen lassen, wenn eine positive Spannung an den Gate-Anschluss angelegt wird, was sie für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen geeignet macht. Die Trench-MOSFET-Technologie verbessert die Leistung weiter, indem sie den Einschaltwiderstand reduziert und die Effizienz steigert.

Bei der Auswahl eines MOSFETs für eine bestimmte Anwendung sollten Ingenieure Parameter wie Drain-Source-Spannung (VDS), Gate-Source-Spannung (VGS), Drain-Strom (ID) und Einschaltwiderstand (RDSon) berücksichtigen. Darüber hinaus sind die thermischen Eigenschaften und der ESD-Schutzpegel des Bauteils wichtig, um Zuverlässigkeit und Langlebigkeit in der vorgesehenen Anwendungsumgebung zu gewährleisten.

Die Logikpegel-Kompatibilität des PMV37ENER ist besonders vorteilhaft, da sie eine direkte Anbindung an Mikrocontroller-Ausgänge ermöglicht. Diese Eigenschaft, kombiniert mit seinem erweiterten Temperaturbereich und robustem ESD-Schutz, macht den PMV37ENER zu einer ausgezeichneten Wahl für das Design zuverlässiger und effizienter Leistungsschaltkreise auf engstem Raum.

Insgesamt veranschaulicht der PMV37ENER die Fortschritte in der MOSFET-Technologie und bietet Ingenieuren eine leistungsstarke, zuverlässige Lösung für eine breite Palette von Leistungsschaltanwendungen.

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