PMV120ENEAR: 60V, N-Kanal-Trench-MOSFET, SOT23-Gehäuse, Logikpegel-kompatibel
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Der PMV120ENEA ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (FET), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt und in einem kompakten SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse untergebracht ist. Dieses Bauteil ist für effizientes Energiemanagement innerhalb elektronischer Schaltungen konzipiert und bietet schnelle Schaltfähigkeiten und Logikpegelkompatibilität, was es für eine breite Palette von Anwendungen geeignet macht.

Wichtige Merkmale umfassen den Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD), der 2 kV gemäß dem Human Body Model (HBM) übersteigt, was Robustheit und Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen gewährleistet. Zusätzlich ist der PMV120ENEA AEC-Q101 qualifiziert, was seine Eignung für Automobilanwendungen anzeigt. Seine Trench-MOSFET-Technologie ermöglicht eine verbesserte Leistung in Bezug auf Energieeffizienz und Wärmemanagement im Vergleich zu traditionellen MOSFETs.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDS): Maximal 60V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20V
  • Drain-Strom (ID): 2,1A bei VGS = 10V, 25°C
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon): 96 bis 123mΩ bei VGS = 10V, ID = 2,1A, 25°C
  • Gesamte Gate-Ladung (QG(tot)): 5,9 bis 7,4nC
  • ESD-Schutz: >2kV HBM

PMV120ENEAR Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für PMV120ENEAR dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Relaistreiber
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Niedrigseitiger Lastschalter
  • Schaltkreise

Kategorie

MOSFET

Allgemeine Informationen

N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die in elektronischen Schaltungen weit verbreitet sind, um Signale zu schalten und zu verstärken. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld verwenden, um den Stromfluss zwischen den Source- und Drain-Terminals zu steuern. Die Bezeichnung N-Kanal bezieht sich auf die Verwendung von negativ geladenen Elektronen als Ladungsträger.

Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFET sind mehrere Schlüsselparameter zu berücksichtigen, einschließlich der Drain-Source-Spannung, Gate-Source-Spannung, Drain-Strom und Einschaltwiderstand. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFET, Spannungs- und Strompegel zu handhaben, sowie seine Effizienz und thermische Leistung.

MOSFETs sind wesentliche Komponenten in der Leistungsverwaltung, beim Antrieb von Lasten und bei Signalumschaltanwendungen. Ihre schnelle Schaltgeschwindigkeit, hohe Effizienz und Fähigkeit, signifikante Leistungspegel zu handhaben, machen sie geeignet für eine breite Palette von Anwendungen, von Verbraucherelektronik bis zu Automobilsystemen.

Trench-MOSFET-Technologie, wie sie im PMV120ENEA verwendet wird, bietet verbesserte Leistung durch Reduzierung des Einschaltwiderstands und Verbesserung der thermischen Eigenschaften, was zu einer effizienteren Stromnutzung und reduzierter Wärmeerzeugung führt. Diese Technologie ist besonders vorteilhaft in Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern.

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