BSS138BK: 60 V, 360 mA N-Kanal Trench-MOSFET, SOT23-Gehäuse
Nexperia

Der Nexperia BSS138BK ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt und in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse verpackt ist. Dieses Bauteil wurde entwickelt, um effiziente Leistungssteuerungs- und Schaltfunktionen mit einer Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von bis zu 360 mA zu bieten.

Zu den Hauptmerkmalen des BSS138BK gehören die Logikpegel-Kompatibilität, die eine einfache Verwendung in verschiedenen Schaltungsdesigns ermöglicht, und ein ESD-Schutz bis zu 1,5 kV, der Zuverlässigkeit und Haltbarkeit in empfindlichen Anwendungen gewährleistet. Seine sehr schnelle Schaltfähigkeit macht ihn für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen geeignet. Darüber hinaus ist er AEC-Q101 qualifiziert, was seine Eignung für Automobilanwendungen anzeigt.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Drain-Strom (ID): 360 mA bei VGS = 10 V, 25°C
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon): 1 bis 1,6 Ω bei VGS = 10 V, ID = 350 mA
  • Gesamtverlustleistung (Ptot): 350 mW bei 25°C
  • Sperrschichttemperatur (Tj): -55 bis 150 °C
  • ESD-Schutz: Bis zu 1,5 kV

BSS138BK Datenblatt

BSS138BK Datenblatt (PDF)

BSS138BK Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für BSS138BK dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Relaistreiber
  • Low-Side-Lastschalter
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Schaltkreise

Kategorie

MOSFET

Allgemeine Informationen

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind eine Art von FET, die zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale entwickelt wurden. Sie werden aufgrund ihrer hohen Effizienz, Zuverlässigkeit und der Fähigkeit, erhebliche Leistungspegel zu bewältigen, häufig in elektronischen Geräten eingesetzt. N-Kanal-MOSFETs, wie der BSS138BK, haben Elektronen als Ladungsträger und werden typischerweise für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen verwendet.

Bei der Auswahl eines MOSFETs für eine bestimmte Anwendung müssen Schlüsselparameter wie Drain-Source-Spannung, Gate-Source-Spannung, Drain-Strom und Verlustleistung berücksichtigt werden, um sicherzustellen, dass das Bauteil die Schaltungsanforderungen erfüllt. Zusätzlich sind der Gehäusetyp und die thermischen Eigenschaften wichtige Faktoren, die die Leistung des MOSFETs und seine Eignung für die beabsichtigte Anwendung beeinflussen.

MOSFETs sind integraler Bestandteil verschiedener Anwendungen, vom Energiemanagement in tragbaren Geräten bis zur Steuerung von Motoren in Fahrzeugsystemen. Ihre Fähigkeit, Leistung effizient zu schalten und zu steuern, macht sie zu wesentlichen Komponenten im modernen Elektronikdesign. Das Verständnis der spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung, einschließlich der erforderlichen Spannungs- und Strompegel sowie der gewünschten Schaltgeschwindigkeit, wird die Auswahl des geeigneten MOSFETs leiten.

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