BSS138BK: 60 V, 360 mA N-Kanal Trench MOSFET, SOT23-Gehäuse
Nexperia

Der Nexperia BSS138BK ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-Feldeffekttransistor (FET), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt und in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse verpackt ist. Dieses Bauteil ist darauf ausgelegt, effiziente Leistungssteuerung und Schaltfähigkeiten mit einer Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einem kontinuierlichen Drainstrom von bis zu 360 mA zu bieten.

Wichtige Merkmale des BSS138BK beinhalten die Logikpegel-Kompatibilität, die eine einfache Verwendung in verschiedenen Schaltungsdesigns ermöglicht, und den ESD-Schutz bis zu 1,5 kV, der Zuverlässigkeit und Langlebigkeit in empfindlichen Anwendungen sicherstellt. Seine sehr schnelle Schaltfähigkeit macht ihn geeignet für Anwendungen mit hoher Schaltgeschwindigkeit. Darüber hinaus ist er AEC-Q101 qualifiziert, was seine Eignung für Automobilanwendungen anzeigt.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Drain-Strom (ID): 360 mA bei VGS = 10 V, 25°C
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon): 1 bis 1,6 Ω bei VGS = 10 V, ID = 350 mA
  • Gesamtleistungsverlust (Ptot): 350 mW bei 25°C
  • Sperrschichttemperatur (Tj): -55 bis 150 °C
  • ESD-Schutz: Bis zu 1,5 kV

BSS138BK Datenblatt

BSS138BK Datenblatt (PDF)

BSS138BK Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für BSS138BK dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Relaistreiber
  • Niedrigseitiger Lastschalter
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Schaltkreise

Kategorie

MOSFET

Allgemeine Informationen

MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sind eine Art von FET, die für die Verstärkung oder das Schalten elektronischer Signale entwickelt wurden. Sie werden aufgrund ihrer hohen Effizienz, Zuverlässigkeit und der Fähigkeit, signifikante Leistungsstufen zu handhaben, weit verbreitet in elektronischen Geräten eingesetzt. N-Kanal-MOSFETs, wie der BSS138BK, haben Elektronen als Ladungsträger und werden typischerweise für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen verwendet.

Bei der Auswahl eines MOSFET für eine bestimmte Anwendung müssen wichtige Parameter wie Drain-Source-Spannung, Gate-Source-Spannung, Drain-Strom und Leistungsverlust berücksichtigt werden, um sicherzustellen, dass das Bauteil den Schaltungsanforderungen entspricht. Zusätzlich sind der Gehäusetyp und die thermischen Eigenschaften wichtige Faktoren, die die Leistung und Eignung des MOSFET für die beabsichtigte Anwendung beeinflussen.

MOSFETs sind in verschiedenen Anwendungen unverzichtbar, von der Leistungsverwaltung in tragbaren Geräten bis zur Steuerung von Motoren in Automobilsystemen. Ihre Fähigkeit, Leistung effizient zu schalten und zu steuern, macht sie zu wesentlichen Komponenten im modernen Elektronikdesign. Das Verständnis der spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung, einschließlich der notwendigen Spannungs- und Strompegel sowie der gewünschten Schaltgeschwindigkeit, leitet die Auswahl des geeigneten MOSFET.

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