PMV90ENER: 30 V, N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT23-Gehäuse, logikkompatibel, schnelles Schalten
Nexperia

Der PMV90ENE von Nexperia ist ein 30 V N-Kanal-Trench-MOSFET, entworfen für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, die eine effiziente Leistungssteuerung und -umwandlung erfordern. Er ist in einem kompakten SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse eingekapselt und nutzt fortschrittliche Trench-MOSFET-Technologie, um hohe Leistung auf kleinem Raum zu erreichen.

Dieser MOSFET zeichnet sich durch seine Logikpegel-Kompatibilität aus, die es ihm ermöglicht, direkt von Logikschaltungen ohne die Notwendigkeit zusätzlicher Treiberkomponenten angesteuert zu werden. Er verfügt auch über sehr schnelle Schaltfähigkeiten, was seine Eignung für Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzanwendungen erhöht. Das Gerät beinhaltet einen Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD), der über 2 kV HBM hinausgeht und es vor Schäden durch statische Entladungen schützt.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 30 V max
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Drain-Strom (ID): 3.7 A max bei VGS = 10 V, Tamb = 25 °C
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon): 54 - 72 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 3 A
  • Gesamtleistungsverlust (Ptot): 460 mW max bei Tamb = 25 °C
  • Sperrschichttemperatur (Tj): -55 bis 150 °C

PMV90ENER Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für PMV90ENER dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Relaistreiber
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Niedrigseitiger Lastschalter
  • Schaltkreise

Kategorie

Transistor

Allgemeine Informationen

N-Kanal-Trench-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistor (FET), die eine Trench-Gate-Struktur nutzen, um eine höhere Dichte und Effizienz im Vergleich zu traditionellen planaren MOSFETs zu erreichen. Diese Komponenten werden weitgehend in der Leistungsumwandlung und -verwaltung verwendet, da sie die Fähigkeit haben, den Leistungsfluss in Schaltungen effizient zu steuern.

Bei der Auswahl eines N-Kanal Trench MOSFETs sollten Ingenieure Parameter wie Drain-Source-Spannung (VDS), Gate-Source-Spannung (VGS), Drain-Strom (ID) und Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon) berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFETs, die erforderlichen Leistungsstufen und Schaltfrequenzen in einer gegebenen Anwendung zu bewältigen.

Zusätzlich sind der Gehäusetyp und die thermischen Eigenschaften wichtige Überlegungen. Das SOT23-Gehäuse ist aufgrund seiner kompakten Größe beliebt und eignet sich für platzbeschränkte Anwendungen. Das thermische Management ist entscheidend, um Überhitzung zu verhindern und einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen zu gewährleisten.

Abschließend sind Funktionen wie Logikpegel-Kompatibilität und ESD-Schutz vorteilhaft, um das Schaltungsdesign zu vereinfachen und die Haltbarkeit der Komponente zu erhöhen.

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