BSS138BKVL: N-Kanal Trench-MOSFET, 60V, 360mA, SOT23-Gehäuse
NXP Semiconductors

Der BSS138BKVL von NXP Semiconductors ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Er ist in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse gekapselt, das einen kompakten Platzbedarf für Designs bietet, bei denen Platz Mangelware ist. Dieses Bauteil ist so konzipiert, dass es logikpegelkompatibel ist, was eine einfache Integration in digitale Schaltungen ermöglicht.

Zu den Hauptmerkmalen des BSS138BKVL gehören sehr schnelle Schaltfähigkeiten und ein eingebauter Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) bis zu 1,5 kV, der das Gerät während der Handhabung und des Betriebs schützt. Die in diesem Bauteil eingesetzte Trench-MOSFET-Technologie bietet verbesserte Leistungsmerkmale gegenüber herkömmlichen MOSFETs, wie z. B. einen niedrigeren Einschaltwiderstand und eine reduzierte Gate-Ladung, was zu einer höheren Effizienz in Anwendungen beiträgt.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Drain-Strom (ID): 360 mA bei VGS = 10 V, Tamb = 25°C
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon): 1 bis 1,6 Ω bei VGS = 10 V, ID = 350 mA
  • Gesamtverlustleistung (Ptot): 350 mW bei Tamb = 25°C
  • Sperrschichttemperatur (Tj): -55 bis 150 °C

BSS138BKVL Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für BSS138BKVL dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Relaistreiber
  • Low-Side-Lastschalter
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Schaltkreise

Kategorie

MOSFET

Allgemeine Informationen

N-Kanal-MOSFETs sind eine Art von Feldeffekttransistoren (FET), die in elektronischen Schaltungen häufig zu Schalt- und Verstärkungszwecken eingesetzt werden. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld nutzen, um den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen zu steuern. N-Kanal bezieht sich auf die Art der Ladungsträger (Elektronen), die durch das Bauteil fließen.

Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFETs für eine bestimmte Anwendung sollten Ingenieure Parameter wie Drain-Source-Spannung, Gate-Source-Spannung, Drain-Strom, Einschaltwiderstand und Verlustleistung berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFETs, die erforderlichen Spannungs- und Strompegel zu bewältigen, sowie seine Effizienz und thermische Leistung.

N-Kanal-MOSFETs werden häufig in Anwendungen eingesetzt, die ein effizientes Energiemanagement erfordern, wie z. B. Netzteile, Motorsteuerungen und Schaltkreise. Ihre Fähigkeit, schnell und mit minimalem Leistungsverlust zwischen Ein- und Aus-Zuständen zu wechseln, macht sie ideal für Hochgeschwindigkeits- und Hocheffizienzanwendungen. Darüber hinaus kann die Integration von Funktionen wie ESD-Schutz und Logikpegelkompatibilität das Schaltungsdesign vereinfachen und die Zuverlässigkeit erhöhen.

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