BSS138BKVL: N-Kanal-Trench-MOSFET, 60V, 360mA, SOT23-Gehäuse
NXP Semiconductors

Der BSS138BKVL von NXP Semiconductors ist ein N-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Er ist in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) Kunststoffgehäuse eingekapselt, das einen kompakten Fußabdruck für Designs bietet, bei denen Platz knapp ist. Dieses Bauteil ist für die Logikpegelkompatibilität konzipiert, was eine einfache Integration in digitale Schaltungen ermöglicht.

Die Schlüsselmerkmale des BSS138BKVL umfassen sehr schnelle Schaltfähigkeiten und eingebauten elektrostatischen Entladungsschutz (ESD) bis zu 1,5 kV, was das Bauteil während der Handhabung und des Betriebs schützt. Die in diesem Bauteil verwendete Trench-MOSFET-Technologie bietet verbesserte Leistungsmerkmale gegenüber traditionellen MOSFETs, wie z.B. niedrigeren Einschaltwiderstand und reduzierte Gate-Ladung, was zu einer höheren Effizienz in Anwendungen beiträgt.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
  • Gate-Source-Spannung (VGS): ±20 V
  • Drain-Strom (ID): 360 mA bei VGS = 10 V, Tamb = 25°C
  • Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDSon): 1 bis 1.6 Ω bei VGS = 10 V, ID = 350 mA
  • Gesamtleistungsverlust (Ptot): 350 mW bei Tamb = 25°C
  • Sperrschichttemperatur (Tj): -55 bis 150 °C

BSS138BKVL Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für BSS138BKVL dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Relaistreiber
  • Niedrigseitiger Lastschalter
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Schaltkreise

Kategorie

MOSFET

Allgemeine Informationen

N-Kanal-MOSFETs sind eine Art Feldeffekttransistor (FET), die in elektronischen Schaltungen häufig zum Schalten und Verstärken verwendet werden. Sie funktionieren, indem sie ein elektrisches Feld verwenden, um den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Terminals zu steuern. N-Kanal bezieht sich auf die Art der Ladungsträger (Elektronen), die durch das Gerät fließen.

Bei der Auswahl eines N-Kanal-MOSFET für eine spezifische Anwendung sollten Ingenieure Parameter wie die Drain-Source-Spannung, Gate-Source-Spannung, Drain-Strom, Einschaltwiderstand und Leistungsverlust berücksichtigen. Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFET, die erforderlichen Spannungs- und Strompegel zu handhaben, sowie seine Effizienz und thermische Leistung.

N-Kanal-MOSFETs werden häufig in Anwendungen eingesetzt, die ein effizientes Energiemanagement erfordern, wie Stromversorgungen, Motorsteuerungen und Schaltkreise. Ihre Fähigkeit, schnell zwischen Ein- und Ausschaltzuständen mit minimalen Leistungsverlusten zu wechseln, macht sie ideal für Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungsanwendungen. Darüber hinaus vereinfacht die Integration von Funktionen wie ESD-Schutz und Logik-Level-Kompatibilität das Schaltungsdesign und erhöht die Zuverlässigkeit.

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