2N7002ET7G: N-Kanal-MOSFET, 60V, 310mA, SOT-23, niedriger RDS(on)
onsemi

Der 2N7002ET7G ist ein N-Kanal-MOSFET von onsemi, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60V und einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom (ID) von 310mA, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen mit niedriger Leistung geeignet macht. Dieses Bauteil nutzt Trench-Technologie, um niedrige Widerstandswerte (RDS(on)) von 2.5Ω bei 10V und 3.0Ω bei 4.5V zu erreichen, was einen effizienten Betrieb und reduzierte Leistungsverluste sicherstellt.

Sein kompaktes SOT-23-Gehäuse ist für die Oberflächenmontagetechnik optimiert und ermöglicht hochdichte PCB-Layouts. Der 2N7002ET7G ist AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig, was seine Zuverlässigkeit und Eignung für Automobilanwendungen anzeigt. Zusätzlich ist er bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform, was ihn zu einer umweltfreundlichen Wahl für elektronische Entwürfe macht.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Drain-zu-Source-Spannung (VDS): 60V
  • Kontinuierlicher Drain-Strom (ID): 310mA
  • Durchlasswiderstand (RDS(on)): 2,5Ω bei 10V, 3,0Ω bei 4,5V
  • Gate-zu-Source-Spannung (VGS): ±20V
  • Leistungsverlust: 300mW im Dauerbetrieb, 420mW für <5s
  • Betriebsjunctionstemperaturbereich: -55°C bis +150°C
  • Gehäuse: SOT-23

2N7002ET7G Datenblatt

2N7002ET7G Datenblatt (PDF)

2N7002ET7G Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für 2N7002ET7G dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Niedrigseitiger Lastschalter
  • Pegelwandlerschaltungen
  • DC-DC-Wandler
  • Tragbare Anwendungen (z.B. Digitalkameras, PDAs, Mobiltelefone)

Kategorie

MOSFET

Allgemeine Informationen

MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sind eine Art von Transistor, die zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet werden. Sie sind ein wesentliches Bauteil in einer Vielzahl von elektronischen Geräten aufgrund ihrer hohen Effizienz und schnellen Schaltfähigkeiten. N-Kanal-MOSFETs, wie der 2N7002ET7G, werden typischerweise in Anwendungen eingesetzt, bei denen Lastströme durch eine am Gate-Terminal angelegte Spannung gesteuert werden müssen.

Bei der Auswahl eines MOSFETs für eine bestimmte Anwendung sind mehrere Parameter wichtig zu berücksichtigen, einschließlich der Drain-Source-Spannung (VDS), Gate-Source-Spannung (VGS), kontinuierlichen Drain-Strom (ID) und des Einschaltwiderstands (RDS(on)). Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFETs, die erforderlichen Leistungspegel zu bewältigen und seine Effizienz im Schaltkreis.

Der Gehäusetyp spielt auch eine bedeutende Rolle bei der Leistung der Komponente, insbesondere in Bezug auf die thermische Verwaltung und den Fußabdruck auf der PCB. Für Anwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit erfordern, wie z.B. in der Automobil- oder Industriebranche, ist es auch wichtig, die Einhaltung der Komponente mit Industriestandards und Qualifikationen zu berücksichtigen.

Insgesamt hat die Wahl eines MOSFETs einen signifikanten Einfluss auf die Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit des elektronischen Geräts, in dem er verwendet wird. Daher ist ein gründliches Verständnis der Spezifikationen der Komponente und wie sie mit den Anforderungen der Anwendung übereinstimmen, entscheidend für ein optimales Design.

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