Der 2N7002ET7G ist ein N-Kanal-MOSFET von onsemi, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung (VDS) von 60 V und einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom (ID) von 310 mA, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen mit geringer Leistung geeignet macht. Dieses Bauteil nutzt Trench-Technologie, um niedrige Einschaltwiderstandswerte (RDS(on)) von 2,5 Ω bei 10 V und 3,0 Ω bei 4,5 V zu erreichen, was einen effizienten Betrieb und eine reduzierte Verlustleistung gewährleistet.
Sein kompaktes SOT-23-Gehäuse ist für die Oberflächenmontagetechnik optimiert und ermöglicht Leiterplattenlayouts mit hoher Dichte. Der 2N7002ET7G ist AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig, was seine Zuverlässigkeit und Eignung für Automobilanwendungen anzeigt. Darüber hinaus ist er bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform, was ihn zu einer umweltfreundlichen Wahl für elektronische Designs macht.
MOSFET
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind eine Art von Transistor, der zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet wird. Sie sind aufgrund ihrer hohen Effizienz und schnellen Schaltfähigkeiten ein wesentlicher Bestandteil in einer Vielzahl elektronischer Geräte. N-Kanal-MOSFETs, wie der 2N7002ET7G, werden typischerweise in Anwendungen eingesetzt, bei denen Lastströme durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung gesteuert werden müssen.
Bei der Auswahl eines MOSFETs für eine bestimmte Anwendung sind mehrere Parameter wichtig, darunter die Drain-Source-Spannung (VDS), die Gate-Source-Spannung (VGS), der kontinuierliche Drain-Strom (ID) und der Einschaltwiderstand (RDS(on)). Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des MOSFETs, die erforderlichen Leistungspegel zu bewältigen, sowie seine Effizienz im Schaltkreis.
Der Gehäusetyp spielt ebenfalls eine bedeutende Rolle für die Leistung des Bauteils, insbesondere im Hinblick auf das Wärmemanagement und den Platzbedarf auf der Leiterplatte (PCB). Für Anwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit erfordern, wie z. B. im Automobil- oder Industriebereich, ist es auch wichtig, die Konformität des Bauteils mit Industriestandards und Qualifikationen zu berücksichtigen.
Insgesamt hat die Wahl eines MOSFETs einen erheblichen Einfluss auf die Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit des elektronischen Geräts, in dem er verwendet wird. Daher ist ein gründliches Verständnis der Spezifikationen der Komponente und deren Abstimmung auf die Anforderungen der Anwendung entscheidend für ein optimales Design.